光学氮化硅杂质测试

检测项目

1.金属杂质元素：铁、铜、镍、铬、锌。

2.碳杂质含量：总碳、游离碳、化合碳。

3.氧杂质含量：间隙氧、替位氧、表面吸附氧。

4.氢杂质含量：结合氢、游离氢。

5.颗粒物杂质：表面微粒、内部包裹体。

6.碱金属杂质：钠、钾、锂。

7.重金属杂质：铅、镉、汞、砷。

8.氯离子杂质：游离氯、化合氯。

9.晶体结构缺陷：位错、层错、空位。

10.表面沾污物：有机残留物、油脂。

11.相变杂质：游离硅、富硅相、富氮相。

12.水分含量：游离水、结晶水。

13.硼杂质含量：取代硼、间隙硼。

14.氟离子杂质：游离氟、化合氟。

15.放射性杂质：铀、钍、镭。

检测范围

光学级氮化硅薄膜、氮化硅光波导晶圆、微纳光学器件、氮化硅光学谐振腔、半导体光学窗口、氮化硅光栅、光子集成电路基板、氮化硅减反射膜、氮化硅滤光片、氮化硅微环谐振器、光通信氮化硅波导、氮化硅透镜、氮化硅光开关、氮化硅光耦合器、高折射率氮化硅层、低损耗氮化硅波导层、绝缘体上氮化硅材料、氮化硅光学镀膜、氮化硅激光器腔体、氮化硅光电调制器

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量金属杂质元素的定量分析；具有极高的检测灵敏度和宽动态范围。

2.傅里叶变换红外光谱仪：用于分析材料中的化合键类型及氧、氢等轻元素杂质含量；支持高分辨率透射或反射测量。

3.二次离子质谱仪：用于材料表面及深度方向的杂质元素分布剖析；可实现极低浓度杂质的同位素分析。

4.扫描电子显微镜：用于观察材料表面形貌及微观结构缺陷；配备能谱仪可进行局部微区杂质成分定性分析。

5.俄歇电子能谱仪：用于材料表层及微区的杂质元素分析；具备极高的表面灵敏度和纳米级空间分辨率。

6.X射线光电子能谱仪：用于分析材料表面化学态及元素组成；可精确判定杂质的化学键合状态。

7.原子吸收光谱仪：用于特定微量金属杂质的定量检测；操作简便且针对特定元素分析速度快。

8.紫外可见分光光度计：用于测试光学薄膜透过率及吸收特性；间接反映杂质引起的光学损耗。

9.激光粒度分析仪：用于测量液体或分散体系中的微粒杂质粒径分布；基于光散射原理实现快速无损检测。

10.碳硫分析仪：用于测定材料中微量碳、硫杂质元素的总含量；采用高频感应燃烧及红外吸收检测技术。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.