元器件位移损伤试验

检测项目

1.静态参数测试：漏电流，阈值电压，击穿电压，饱和电流，输入抵消电压。

2.动态参数测试：开关时间，上升时间，下降时间，传播延迟，建立时间。

3.电荷收集特性：电荷收集效率，脉冲高度分布，电荷传输效率。

4.增益退化分析：电流放大倍数，跨导变化，共模抑制比。

5.噪声特性测试：低频噪声，等效输入噪声电压，噪声系数。

6.光学性能测试：发光强度，响应度，量子效率，光谱带宽。

7.存储特性测试：数据保持能力，读写寿命，刷新时间。

8.功率特性测试：输出功率，转换效率，功率增益。

9.绝缘性能测试：绝缘电阻，介质损耗，耐压强度。

10.线性度测试：非线性失真，增益平坦度，积分非线性。

11.频率特性测试：截止频率，带宽变化，特征频率。

12.接触电阻测试：欧姆接触电阻，引线电阻，接触电位降。

检测范围

双极型晶体管、场效应管、光电耦合器、发光二极管、激光二极管、运算放大器、电压比较器、模拟开关、稳压电源芯片、微处理器、存储器芯片、逻辑电路、时钟发生器、模数转换器、数模转换器、功率二极管、绝缘栅双极晶体管、静电感应器件、红外探测器

检测设备

1.质子辐射源：提供受控的质子束流，用于模拟空间环境中的质子辐射位移损伤。

2.中子发生器：产生高能中子流，测试中子引起的晶格原子位移及缺陷演化。

3.半导体参数分析仪：精确测量元器件的电流与电压特性曲线，分析微安级以下的电流变化。

4.光谱分析仪：检测光电器件在辐射前后的波长偏移及光谱功率分布情况。

5.脉冲信号发生器：提供高精度的脉冲激励信号，用于测试器件的瞬态响应速度。

6.超低温测试箱：配合辐射试验过程，模拟极端低温环境下的位移损伤修复机制。

7.精密阻抗分析仪：测量元器件在不同频率下的阻抗、电容以及介质损耗因子。

8.深度缺陷瞬态谱仪：分析半导体材料内部由位移效应产生的深能级缺陷能级及浓度。

9.自动测试集成系统：实现多通道元器件参数的自动化采集，确保试验数据的连续性。

10.高精度数字万用表：监测电路中的微小电压波动，确保基础电性能数据的准确性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.