硅片表面粗糙度试验

检测范围

单晶硅片、多晶硅片、抛光硅片、研磨硅片、切割硅片、太阳能级硅片、半导体级硅片、区熔硅片、直拉硅片、外延硅片、氧化硅片、氮化硅片、氮氧化硅片、离子注入硅片、退火硅片、扩散硅片、键合硅片、SOI硅片、硅晶圆、晶圆衬底等。

检测项目

表面粗糙度测定、微观不平度分析、表面轮廓度测量、表面波纹度检测、算术平均粗糙度测试、均方根粗糙度测定、最大峰谷高度测量、表面形貌分析、表面平整度检测、表面缺陷检测、表面颗粒度测定、表面划痕分析、表面损伤层测量、表面氧化层厚度测定、表面污染检测、表面清洁度分析、表面粗糙度各向异性测试、晶圆表面质量测试等。

检测仪器(部分)：

原子力显微镜，台阶仪，表面粗糙度仪，白光干涉仪，激光干涉仪，光学轮廓仪，扫描电子显微镜，透射电子显微镜，表面缺陷检测仪，颗粒计数器等。

检测方法(部分)：

原子力显微镜法：利用原子力显微镜的探针扫描硅片表面，获取纳米级表面形貌和粗糙度参数。常用的设备有原子力显微镜和隔振平台。

台阶仪法：使用金刚石探针沿硅片表面扫描，测量表面轮廓和粗糙度参数。常用的设备有台阶仪和减振平台。

白光干涉法：利用白光干涉原理测量硅片表面形貌，获取三维表面粗糙度信息。常用的设备有白光干涉仪和隔振光学平台。

激光干涉法：通过激光干涉测量硅片表面的高度变化，分析表面粗糙度和平整度。常用的设备有激光干涉仪和光学系统。

光学轮廓仪法：利用光学成像技术快速测量硅片表面轮廓，获取表面粗糙度参数。常用的设备有光学轮廓仪和图像分析软件。

参考标准

GB/T 14263-2009 硅片表面粗糙度测试方法

GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法

GB/T 6620-2009 硅片翘曲度测试方法

SEMI MF728-0211 气相生长多晶硅表面粗糙度的标准试验方法

SEMI MF1811-1110 用于测量硅晶片表面粗糙度、波纹度和纳米形貌的标准试验方法

SEMI M1-0422 硅抛光晶片规范

ISO 4287:1997 产品几何量技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 术语、定义及表面结构参数

ISO 4288:1996 产品几何量技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 评定表面结构的规则和方法

ASTM F1811-16 用轻触式轮廓测量法测量硅晶片表面粗糙度、波纹度和纳米形貌的标准试验方法

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

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