检测项目
1.元素组成与含量分析:全元素定性筛查、特定主量元素定量、痕量及超痕量杂质元素定量。
2.同位素比值测定:稳定同位素丰度比测量、放射性同位素检测、同位素示踪分析。
3.表面与界面分析:表面元素分布成像、界面化学成分分析、薄膜厚度与成分剖析。
4.深度剖析:成分随深度分布分析、层间扩散研究、掺杂浓度剖面测量。
5.微区与缺陷分析:局部区域成分分析、颗粒物成分鉴定、缺陷处化学成分表征。
6.有机碎片与结构分析:有机分子裂解碎片分析、高分子材料添加剂鉴定、聚合物结构表征。
7.镀层与涂层分析:镀层成分与厚度测量、涂层均匀性测试、膜层结合界面研究。
8.掺杂与活化浓度分析:半导体中掺杂元素浓度测定、离子注入后活化率测试。
9.污染与失效分析:表面污染物鉴定、腐蚀产物分析、器件失效点的成分溯源。
10.地质与考古年代测定:岩石矿物定年、同位素地质温度计、文物产地溯源。
检测范围
硅片、砷化镓等半导体晶圆、金属及合金材料、陶瓷与玻璃材料、高分子聚合物颗粒、环境空气颗粒物滤膜、土壤与沉积物、水体中悬浮颗粒、生物组织切片、药物活性成分粉末、催化剂材料、考古陶器碎片、矿物岩石样本、金属镀层试样、集成电路芯片、光学薄膜涂层、纳米粉末材料、锂电池电极材料、焊接点与焊料、医用植入体材料
检测设备
1.飞行时间二次离子质谱仪:用于实现高质量分辨率的表面元素成像和深度剖析;具备高灵敏度及大分子离子检测能力。
2.磁扇形场二次离子质谱仪:用于高精度同位素比值测量和极低检出限的痕量元素分析;具备高传输效率和质量分辨率。
3.四极杆二次离子质谱仪:用于快速的表面扫描分析和动态深度剖析;操作相对简便,分析速度较快。
4.离子枪系统:用于溅射剥离样品表面原子,实现深度剖析;可分为液态金属离子枪和气体等离子体离子枪。
5.激光辅助离子源:用于降低基体效应并增强高分子有机物的离子化效率;可实现大分子和难挥发物的直接分析。
6.高灵敏度离子探测器:用于接收和放大由质量分析器分离后的离子信号;通常采用电子倍增器或法拉第杯。
7.高真空样品室与分析系统:为离子产生、传输和检测提供必要的超高真空环境;确保离子束路径无干扰。
8.电荷中和系统:用于分析绝缘样品时中和表面电荷积累;保障分析过程的稳定性和准确性。
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。