芯片质量离子分析

检测项目

1.表面离子污染分析：钠离子，钾离子，钙离子，镁离子，氯离子，硫酸根离子，硝酸根离子，铵离子。

2.材料痕量元素分析：硼，磷，砷，锑，铜，铁，镍，铝。

3.薄膜成分分布分析：氧元素分布，氮元素分布，金属元素分布，掺杂元素分布，界面元素过渡，深度成分变化。

4.离子迁移风险测试：可迁移离子含量，湿热条件离子迁移，偏压条件离子迁移，绝缘层离子富集，导电通道形成倾向。

5.封装材料离子残留检测：封装胶离子残留，引线框架表面离子残留，焊接区域离子残留，清洗后残留离子，模塑材料离子析出物。

6.晶圆表面洁净度检测：晶圆表面阴离子，晶圆表面阳离子，抛光后离子残留，清洗后离子残留，刻蚀后离子残留。

7.局部失效点成分分析：腐蚀区域离子成分，裂纹区域元素异常，热点区域成分聚集，失效点异物成分，异常沉积物分析。

8.掺杂离子特性分析：掺杂离子种类，掺杂浓度分布，掺杂均匀性，掺杂深度轮廓，局部偏析情况。

9.金属互连污染分析：铜污染，钠污染，氯污染，金属扩散，界面杂质残留。

10.工艺液残留离子检测：清洗液残留，蚀刻液残留，显影液残留，去胶液残留，超纯水冲洗后离子残留。

11.绝缘介质离子分析：介质层杂质离子，绝缘层碱金属离子，界面电荷相关离子，吸附离子，热处理后离子变化。

12.来料材料离子质量评价：硅材料杂质离子，靶材痕量离子，化学试剂离子杂质，封装辅料离子含量，载板材料离子析出。

检测范围

逻辑芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、射频芯片、传感芯片、晶圆、裸片、封装芯片、硅片、外延片、光刻胶残留物、刻蚀后样品、清洗后样品、金属互连层、绝缘介质层、钝化层、封装胶、引线框架、载板材料

检测设备

1.离子色谱仪：用于分离并测定样品中的阴离子和阳离子含量，适合痕量离子污染分析。

2.二次离子质谱仪：用于分析样品表面及近表层的离子组成，可进行微区成分检测和深度分布分析。

3.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定痕量及超痕量金属元素含量，适合材料纯度与污染测试。

4.辉光放电质谱仪：用于固体样品中多元素成分分析，适合测试芯片材料中的杂质元素分布。

5.扫描电子显微镜：用于观察芯片表面形貌与局部缺陷区域，为异常点离子分析提供定位依据。

6.能谱分析仪：用于辅助分析样品局部区域元素组成，适合异物、沉积物及失效点成分筛查。

7.原子力显微镜：用于表征样品表面微观形貌及粗糙度，辅助判断离子残留相关表面异常。

8.表面电位分析仪：用于测试表面电荷分布与局部电位变化，辅助分析离子迁移及污染影响。

9.超纯水提取装置：用于对芯片及相关材料表面离子进行萃取，为后续离子含量测定提供样液。

10.洁净恒温恒湿试验设备：用于模拟温湿度环境条件，测试离子残留在环境作用下的迁移与失效风险。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.