检测范围
CPU处理器芯片、GPU图形处理芯片、AI加速器芯片、功率半导体IGBT、功率MOSFET芯片、SiC功率芯片、GaN功率芯片、LED发光芯片、激光二极管芯片、传感器芯片、射频前端芯片、电源管理芯片、汽车电子芯片、存储芯片DDR、闪存NAND芯片、FPGA可编程芯片、SoC系统级芯片、MCU微控制芯片、车载BMS芯片、5G通信基带芯片等。
检测项目
结到壳热阻Rθjc、结到环境热阻Rθja、结到引脚热阻Rθjp、瞬态热阻抗Zth、芯片结温Tj、外壳温度、封装表面温度、热点分布、导热界面材料厚度、导热界面材料热阻、热扩散系数、比热容、芯片散热功率密度、热循环可靠性、温度梯度等。
检测仪器(部分):
瞬态热阻测试仪,红外热像仪,热电偶温度采集系统,半导体参数分析仪,激光闪射热扩散仪,X射线显微成像仪,扫描热显微镜,温度循环试验箱等。
检测方法(部分):
电学法热阻测试:通过测量芯片PN结正向压降随温度变化的特性曲线作为温敏参数,在脉冲加热和稳态条件下计算结到壳或结到环境的热阻。常用的设备有瞬态热阻测试仪和恒温冷板。
红外热成像法:使用红外热像仪扫描芯片表面温度分布,捕捉热点位置与温升梯度,并辅助测试封装与导热界面材料的散热效果。常用的设备有高分辨率红外热像仪和显微镜头。
瞬态热阻抗法:对芯片施加阶跃功率激励,记录响应时间内结温变化曲线,结合结构函数法解析封装内部热路径分布。常用的设备有瞬态热阻测试仪和结构函数分析软件。
激光闪射法:将激光脉冲照射到导热界面材料样品一面,记录另一面温升曲线,依据时间常数计算热扩散系数与导热系数。常用的设备有激光闪射热扩散仪和高速红外探测器。
稳态热流计法:将芯片或导热界面材料夹于已知热流条件下的两板之间,通过测温计算热阻或导热系数,适用于薄层界面材料的精细评价。常用的设备有稳态热流计仪器和恒温冷热源。
参考标准
GB/T 14862-1993 半导体集成电路热阻测试方法
GB/T 7166-2008 半导体器件 测试方法 第1部分:通用
GB/T 14863-1993 半导体集成电路 工作温度
GB/T 22581-2008 微电子封装用导热材料热阻测试方法
GB/T 38255-2019 半导体封装可靠性试验方法
SJ/T JianCe89-2015 集成电路热设计指南
JESD51-1 IC封装热阻测试方法 通用要求
JESD51-14 集成电路结到壳热阻瞬态测试方法
ASTM D5470-17 薄导热固体电气绝缘材料热传导特性测试方法
MIL-STD-883G Method 1012 集成电路热特性测试
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。