检测项目
1.主量及掺杂元素分析:硅、锗、镓、砷、磷、硼等半导体材料主成分与掺杂剂含量测定。
2.贵金属元素分析:金、银、钯、铂等用于导电层、焊点及触点材料的含量测定。
3.金属镀层/薄膜成分分析:镍、铜、锡、铬等电镀或沉积薄膜的组分与厚度关联分析。
4.焊料及助焊剂元素分析:锡、铅、银、铜、铋等焊料合金成分,以及卤素等助焊剂残留检测。
5.磁性材料元素分析:钕、铁、硼、钴等稀土永磁材料或铁氧体材料的成分分析。
6.陶瓷基板与封装材料元素分析:铝、氧、硅、氮等构成陶瓷基板与封装外壳的元素定量。
7.导电浆料与油墨元素分析:银、铜、碳等导电相及玻璃粉等粘结相的成分分析。
8.晶圆清洗液与蚀刻液杂质分析:钾、钠、钙、镁、铁、铜等痕量金属杂质污染检测。
9.塑封料与高分子材料元素分析:溴、锑、磷等阻燃剂元素,以及填充料中硅、铝等元素分析。
10.限制物质合规性筛查:铅、镉、汞、六价铬等法规限制的有害物质含量检测。
11.高纯材料痕量杂质分析:高纯金属、特气、化学品中ppb甚至ppt级别的杂质元素检测。
12.失效分析与异物鉴定:对元器件失效部位或生产过程中的异常污染物进行元素组成鉴定。
检测范围
硅晶圆、化合物半导体外延片、金属引线框架、陶瓷封装外壳、锡基焊球与焊膏、金丝与铜键合丝、磁性材料粉体与磁芯、多层陶瓷电容器、片式电阻浆料、液晶显示用靶材、光伏用银浆、印制电路板镀层、晶圆清洗剂、光刻胶、高纯特种气体、塑封环氧树脂料、导热硅脂、电解电容蚀刻箔
检测设备
1.电感耦合等离子体发射光谱仪:用于溶液中多种金属与非金属元素的快速定量分析,适用于液体样品及消解后的材料分析。
2.电感耦合等离子体质谱仪:具备极高的检测灵敏度,用于高纯材料、化学品中超痕量杂质的定量分析与同位素比值测定。
3.波长色散X射线荧光光谱仪:用于固体、粉末样品中从铍到铀元素的非破坏性快速成分分析,特别适用于镀层厚度与成分测量。
4.能量色散X射线荧光光谱仪:用于现场快速筛查与半定量分析,可对电子产品中限制物质进行初步合规性判断。
5.火花直读光谱仪:专门用于金属合金材料的快速成分分析,能对导电性固体样品中的多种元素进行同时测定。
6.原子吸收光谱仪:采用火焰或石墨炉技术,对特定金属元素进行高精度的定量分析,设备稳定且操作成本相对较低。
7.扫描电子显微镜搭配能谱仪:实现对样品微观形貌观察与微区元素成分的定性及半定量分析,是失效分析的关键工具。
8.辉光放电质谱仪:用于固体导体材料从表面到深度的成分剖析,可进行高灵敏度的体材料杂质与深度分布分析。
9.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪:实现对固体样品的微区原位成分分析,可进行元素面分布扫描及深度剖面分析。
10.离子色谱仪:专门用于检测样品中的阴离子与阳离子含量,如分析助焊剂中的卤素离子残留或清洗液中的杂质离子。
相关检测的发展前景与展望
随着电子器件向微型化、集成化与高性能化持续演进,元素分析检测技术正向更高空间分辨率与更低检测限发展。微观尺度下的原位、实时成分分析需求日益增长,推动激光剥蚀、飞行时间二次离子质谱等微区分析技术的深度应用。智能化与自动化是另一显著趋势,通过结合机器视觉与人工智能算法,实现检测流程的自动优化、数据快速解析与异常智能诊断。此外,面向新兴宽禁带半导体、先进封装材料及柔性电子等领域,开发与之匹配的快速、无损检测方法将成为重点。标准化进程也将同步深化,以建立更精确、更统一的跨实验室数据比对基准,为全球电子产业链的可靠性与合规性提供坚实保障。
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。