检测项目
1.表面形貌与粗糙度分析:表面轮廓测量,平均粗糙度计算,均方根粗糙度测试,峰谷高度差分析。
2.全局与局部平整度测量:整体翘曲度检测,局部区域弯曲度分析, site平整度测试,纳米尺度起伏测量。
3.薄膜厚度与均匀性检测:介质层厚度测量,金属镀膜厚度分析,薄膜厚度均匀性映射,台阶高度精确计量。
4.光刻后关键尺寸与形貌:线条宽度与侧壁角度测量,通孔与沟槽深度分析,图形套刻误差关联形貌测试。
5.化学机械抛光后表面测试:抛光后表面均匀性检测,碟形凹陷与侵蚀效应分析,残留颗粒与划痕观测。
6.晶圆键合界面分析:键合界面空隙检测,键合层厚度均匀性测量,界面融合质量形貌测试。
7.凸点与焊球高度一致性:锡球共面性检测,微凸点高度与直径测量,植球后表面拓扑分析。
8.封装基板与载板平整度:基板翘曲与扭曲测量,线路层铜厚均匀性分析,焊盘共面性检测。
9.散热界面材料厚度分布:导热垫片或硅脂厚度均匀性测量,热界面材料涂覆形貌分析。
10.三维集成结构形貌:硅通孔深度与均匀性检测,微凸点阵列共面性分析,芯片堆叠层间对准形貌测试。
11.缺陷与污染关联形貌分析:颗粒污染导致的局部高度异常,腐蚀或结晶缺陷形貌表征,应力诱导凸起或凹陷检测。
12.应力分布间接测试:通过表面曲率测量反演薄膜应力,晶圆级应力分布形貌映射。
检测范围
硅抛光片、外延片、图案化晶圆、介质薄膜晶圆、金属化晶圆、化学机械抛光后晶圆、光刻胶图形晶圆、晶圆键合对、芯片单体、封装用基板、引线框架、焊球阵列封装样品、芯片堆叠结构、硅通孔样品、微机电系统器件、散热盖板
检测设备
1.光学轮廓仪:用于非接触式快速测量表面三维形貌与粗糙度;基于白光干涉或共聚焦原理,提供微米至纳米级的分辨率。
2.原子力显微镜:用于超高分辨率的表面形貌成像与测量;通过探针与表面相互作用,可实现原子级至纳米级的拓扑结构分析。
3.白光干涉仪:专用于高精度表面轮廓、台阶高度与粗糙度测量;利用白光干涉条纹分析,测量速度快、垂直分辨率高。
4.激光平面度测量仪:用于大尺寸晶圆或基板的整体翘曲、弯曲和平整度快速扫描;基于激光三角测量或反射原理。
5.膜厚测量仪:用于测量薄膜的厚度及其均匀性;常见技术包括椭圆偏振法与光谱反射法,适用于透明与不透明薄膜。
6.三维光学显微镜:结合光学显微成像与垂直扫描,用于微米级结构的表面形貌重建与尺寸测量。
7.表面轮廓仪:通过接触式探针划过样品表面,直接记录表面轮廓曲线;用于测量台阶高度、粗糙度及二维轮廓形状。
8.共聚焦激光扫描显微镜:利用共聚焦原理排除离焦光干扰,实现对样品表面高对比度成像和精确的三维形貌测量。
9.数字全息显微镜:基于数字全息干涉技术,可对透明或反射样品进行无标记、高精度的三维形貌动态测量。
10.聚焦离子束显微镜:结合离子束切割与扫描电子显微镜成像,用于对集成电路内部特定截面进行制备与高精度形貌观测。
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。