半导体元素试验

检测项目

1.主量元素分析：硅含量测定，锗含量测定，砷含量测定，镓含量测定，铟含量测定。

2.掺杂元素检测：硼含量测定，磷含量测定，砷掺杂量测定，锑含量测定，铝掺杂量测定。

3.痕量杂质元素检测：铁含量测定，铜含量测定，镍含量测定，铬含量测定，锌含量测定。

4.碱金属污染检测：钠含量测定，钾含量测定，锂含量测定，铷含量测定，铯含量测定。

5.碱土金属检测：镁含量测定，钙含量测定，锶含量测定，钡含量测定，铍含量测定。

6.过渡金属元素检测：钛含量测定，钒含量测定，锰含量测定，钴含量测定，钼含量测定。

7.非金属元素检测：氧含量测定，碳含量测定，硫含量测定，氮含量测定，氯含量测定。

8.稀有元素检测：硒含量测定，碲含量测定，铌含量测定，钽含量测定，铪含量测定。

9.有害杂质筛查：铅含量测定，镉含量测定，汞含量测定，砷杂质测定，六价铬相关元素筛查。

10.元素分布分析：表面元素分布测定，深度元素分布测定，界面元素迁移分析，局部富集分析，横截面元素分布测定。

11.纯度与均匀性评价：材料总杂质测试，元素均匀性测定，批次成分一致性分析，区域成分偏析分析，基体纯度判定。

12.污染残留分析：表面金属残留测定，清洗后残留元素分析，工艺污染元素筛查，颗粒附着元素分析，腐蚀残留元素测定。

检测范围

硅片、锗片、砷化镓晶片、磷化铟晶片、外延片、半导体单晶、多晶硅、半导体靶材、芯片基板、晶圆切片、抛光片、掺杂样品、薄膜样品、光刻后样品、刻蚀后样品、封装材料、引线框架、电极材料、导电薄层、半导体粉体

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量及超痕量元素定性与定量分析，适合多元素同步检测。

2.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于中高含量元素测定，可实现多元素快速分析与成分筛查。

3.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素含量测定，适合常见杂质元素分析。

4.原子荧光光谱仪：用于部分痕量元素检测，对特定元素具有较高灵敏度。

5.波长色散型荧光光谱仪：用于固体样品无机元素分析，适合主量和次量元素测定。

6.能量色散型荧光光谱仪：用于样品表面及整体元素快速筛查，适合来料成分初步判定。

7.辉光放电质谱仪：用于高纯半导体材料中痕量杂质元素分析，适合固体直接检测。

8.二次离子质谱仪：用于元素深度分布分析，可测试掺杂浓度变化与界面元素迁移。

9.扫描电子显微镜：用于观察样品微观形貌，可结合元素分析功能开展局部成分判别。

10.电子探针显微分析仪：用于微区元素定量分析，适合截面成分分布及偏析状态测定。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.