半导体含量测试

检测项目

1.主成分含量测定：硅含量测定，锗含量测定，化合物半导体主元素含量测定，多组分材料配比测定

2.掺杂元素分析：硼含量测定，磷含量测定，砷含量测定，锑含量测定

3.金属杂质检测：铁含量测定，铝含量测定，铜含量测定，镍含量测定

4.碱金属与碱土金属检测：钠含量测定，钾含量测定，钙含量测定，镁含量测定

5.过渡元素残留分析：铬含量测定，锰含量测定，钴含量测定，钛含量测定

6.非金属杂质测定：氧含量测定，碳含量测定，氮含量测定，硫含量测定

7.痕量元素分析：痕量金属元素测定，超痕量杂质筛查，多元素同时测定，元素总量分析

8.表面组成检测：表面元素组成分析，表层氧化物含量测定，表面污染残留分析，薄层成分识别

9.深度分布测试：元素深度分布测定，掺杂浓度梯度分析，镀层成分分布分析，界面元素变化测定

10.区域成分表征：微区元素分析，局部成分测定，截面元素分布分析，缺陷区域成分识别

11.纯度与杂质控制分析：材料纯度测定，总杂质含量测定，关键杂质限量分析，批次成分一致性检测

12.化合态与存在形态分析：元素化合态识别，氧化态分析，结合态成分测定，相组成分析

检测范围

单晶硅、 多晶硅、硅片、外延片、硅棒、硅粉、锗片、锗材料、砷化镓材料、磷化铟材料、碳化硅材料、氮化镓材料、半导体靶材、半导体薄膜、晶圆表面残留物、掺杂硅材料、半导体封装材料、电子级原料、抛光片、切割碎片

检测设备

1.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于测定样品中多种金属元素含量，适合常量与微量成分分析

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量及超痕量元素检测，适合高灵敏度杂质分析

3.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素定量分析，适合杂质元素的准确测定

4.荧光光谱分析仪：用于材料元素组成快速筛查，可进行多元素同步分析

5.电子探针分析仪：用于微区成分检测与面分布分析，适合局部区域元素表征

6.二次离子质谱仪：用于表面及深度方向元素分布测试，适合掺杂分布分析

7.光电子能谱仪：用于表面元素组成及化合态分析，适合薄层与界面成分研究

8.辉光放电光谱仪：用于固体样品快速深度剖析，可测定元素随深度的变化情况

9.氧氮氢分析仪：用于测定材料中气体杂质含量，适合纯度与工艺控制分析

10.碳硫分析仪：用于测定样品中碳和硫含量，适合非金属杂质控制检测

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.