芯片质量元素测试

检测项目

1.重金属杂质测试：铅，汞，镉，六价铬，总铬，砷，硒，锑。

2.碱金属与碱土金属测试：钠，钾，锂，钙，镁。

3.卤素元素测试：氯，溴，氟，碘。

4.掺杂元素浓度测试：硼，磷，砷，锑。

5.贵金属及过渡金属测试：金，银，铂，钯，铜，铁，镍，锌，钴。

6.硅片本体杂质测试：氧，碳，氮，氢。

7.工艺介质元素分析：高纯化学试剂中的金属杂质，特种气体中的杂质元素。

8.封装材料元素测试：焊料合金成分，塑封料中的溴与锑，框架镀层元素。

9.可萃取元素测试：在模拟体液或特定酸液条件下可溶出的有害元素。

10.表面污染元素测试：芯片表面残留的金属污染物、无机盐离子。

11.深度剖面元素分析：薄膜材料中元素浓度随深度的分布。

检测范围

单晶硅片、外延片、二氧化硅层、氮化硅层、金属互连层、阻挡层薄膜、铜电镀液、化学机械抛光液、光刻胶、高纯蚀刻气体、晶圆清洗剂、焊球与焊膏、塑封环氧树脂料、引线框架、键合丝、陶瓷封装基板、芯片贴合胶、导热界面材料、终端集成电路产品、分立器件

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于超痕量级多元素同时定量分析，检测限极低，适用于高纯材料杂质筛查。

2.电感耦合等离子体发射光谱仪：进行常量及微量金属元素分析，线性范围宽，适用于工艺化学品及合金成分检测。

3.石墨炉原子吸收光谱仪：对特定痕量金属元素进行高灵敏度测定，常用于铅、镉等有害元素的精确量化。

4.离子色谱仪：专门分析样品中的阴离子与阳离子，如卤素离子、铵根离子及碱金属离子等。

5.二次离子质谱仪：实现元素表面分析及深度剖面分析，可获得三维元素分布信息，空间分辨率高。

6.全反射X射线荧光光谱仪：用于硅片表面金属污染物的快速、无损、半定量筛查，分析速度快。

7.气相色谱-质谱联用仪：在特定前处理下，用于分析可挥发性的金属有机物或特定形态的元素化合物。

8.傅里叶变换红外光谱仪：通过特征吸收峰测定硅片中间隙氧、替位碳等轻元素的浓度。

9.辉光放电质谱仪：对固体导体样品进行从表面至内部的体元素分析，适用于块状材料的高纯度分析。

10.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱系统：实现固体样品的微区原位元素分析，可进行元素分布成像，空间分辨能力强。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.