芯片臭氧老化检测

检测范围

集成电路芯片、CPU芯片、GPU芯片、存储芯片、逻辑芯片、微控制器芯片、数字信号处理器芯片、模拟芯片、混合信号芯片、分立器件芯片、二极管芯片、三极管芯片、MOSFET芯片、IGBT芯片、功率二极管芯片、功率MOSFET芯片、功率模块芯片、光电子芯片、LED芯片、激光器芯片、光电探测器芯片、传感器芯片、MEMS传感器芯片、压力传感器芯片、温度传感器芯片、加速度传感器芯片、陀螺仪芯片、磁传感器芯片、射频芯片、功率放大器芯片、低噪声放大器芯片、收发器芯片、存储器芯片、DRAM芯片、NAND Flash芯片、NOR Flash芯片、SRAM芯片、专用芯片、AI芯片、比特币矿机芯片、5G通信芯片、汽车电子芯片、工业控制芯片等。

检测项目

电学性能、漏电流变化率、阈值电压漂移、表面形貌、氧化层厚度变化、表面粗糙度变化、功能验证、功能失效时间、性能衰减率、材料分析、化学键变化、元素含量变化、寿命测试、平均无故障时间、失效率、臭氧浓度、老化时间、温度条件、湿度条件、失效模式分析、故障定位、可靠性测试、耐久性测试、退化机理分析、材料相容性、引脚氧化、键合强度、焊点可靠性、封装完整性、热阻变化、结温变化、ESD抗扰度、闩锁效应等。

检测仪器(部分)：

臭氧老化试验箱，臭氧浓度分析仪，半导体参数分析仪，探针台，原子力显微镜，扫描电子显微镜，X射线光电子能谱仪，椭圆偏振光谱仪，恒温恒湿箱，可靠性测试系统等。

检测方法(部分)：

臭氧老化试验法：将芯片试样置于含臭氧的环境中，在规定温度、湿度和时间下进行老化，测试性能变化。常用的设备有臭氧老化试验箱、臭氧浓度分析仪。

电学参数测试法：测量老化前后芯片的电学参数变化，如漏电流、阈值电压等。常用的设备有半导体参数分析仪、探针台。

表面分析测试法：利用AFM、SEM等观察老化后芯片表面形貌和化学成分变化。常用的设备有原子力显微镜、扫描电镜、能谱仪。

可靠性测试法：通过老化试验数据测试芯片的可靠性和寿命。常用的方法有威布尔分析、对数正态分布分析。

失效分析法：对老化失效的芯片进行失效模式分析和故障定位。常用的设备有扫描电镜、FIB、探针台。

参考标准

GB/T 2423.51-2020 环境试验 第2部分：试验方法 试验Ke：流动混合气体的腐蚀试验

IEC 60068-2-60:2015 环境试验 第2-60部分：试验方法 试验Ke：流动混合气体的腐蚀试验

GB/T 2423.19-2013 环境试验 第2部分：试验方法 试验Kc：接触点和连接件的二氧化硫试验

JESD22-A101D.01 稳态温湿度偏置寿命试验

ASTM DJianCe9-18 橡胶变质的标准试验方法 在表面裂纹条件下小室内的臭氧cracking

GB/T 4937-2012 半导体器件 机械和气候试验方法

MIL-STD-883 微电子器件试验方法和程序

JESD22-A108B 温度、偏置和工作寿命试验

IEC 60749:2017 半导体器件 机械和气候试验方法

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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