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突破!长鑫存储LPDDR5正式发布,存储技术正式打破垄断

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关键字: 长鑫存储,LPDDR5,技术突破
发布时间:2023-11-30
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首先,恭喜长鑫存储正式突破 LPDDR5 技术!

突破!长鑫存储LPDDR5正式发布,存储技术正式打破垄断

11月28日,长鑫存储宣布推出 LPDDR5 系列 DRAM 产品,并在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。

该系列产品包括12Gb的 LPDDR5 颗粒,POP 封装的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封装的 6GB LPDDR5 芯片。

12Gb的 LPDDR5 颗粒,主要应用于高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中,该型号颗粒可以用来生产不同容量的 LPDDR5 内存芯片,例如12GB、16GB、24GB等。

POP 封装的 12GB LPDDR5 芯片,是指将12GB的 LPDDR5 内存芯片和处理器芯片封装在一起,形成一块紧凑的芯片,可以在提供更高的性能的同时尽可能的缩小尺寸,因而主要应用于手机、电脑、平板电脑等的小型化市场。

DSC 封装的 6GB LPDDR5 芯片,则是指将6GB的 LPDDR5 内存芯片和控制器芯片封装在一起,在提供高性能的同时尽可能的减少功耗,主要应用于主要长时间待机的电子产品,如如智能手表、智能眼镜等。

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LPDDR 的“LP”就是指低功耗,是相较于 DDR 更低功耗的 SDRAM 类型产品。按照不同的应用场景划分,固态技术协会(JEDEC)把 DRAM 分成标准 DDR、LPDDR、GDDR 三类,其中 DDR 主要应用于服务器和PC端,LPDDR 主要应用于手机端和消费电子,GDDR 的主要应用领域为图像处理领域。

本文所述 LPDDR5,是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。据长鑫存储消息,与上一代 LPDDR4X 相比,长鑫存储 LPDDR5 单一颗粒的容量和速率均提升50%,分别达到12Gb和6400Mbps,同时功耗降低30%*。长鑫存储 LPDDR5 芯片加入了强大的 RAS 功能,通过内置纠错码(On-die ECC)等技术,实现实时纠错,减少系统故障,确保数据安全,增强稳定性。长鑫存储 LPDDR5 芯片预计也将赋能更多移动设备,满足数字时代日益增长的存储需求。

*基于与长鑫存储 LPDDR4X 的对比,其中功耗为长鑫内部测试数据

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综合业界消息,三星宣布已开发出一系列低功耗压缩附加内存模块 (LPCAMM),该模块使用 LPDDR5X 内存,该型号将为汽车领域准备新的存储解决方案,其中便包括新版 LPDDR5X。

SK海力士方面,该公司与2023年11月13日正式向客户供应 LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) 的16GB(千兆)容量套装产品,可实现每秒9.6Gpbs(每秒9.6千兆)的传输速度。

美光则于2022年发布 LPDDR5X DRAM,据悉其 LPDDR5X-9600 采用其最新的1β工艺制造,单颗封装最大容量16GB,速率相比此前最快的 LPDDR5X-8533 又提高了12%。

再次恭喜长鑫存储突破 LPDDR5 技术,这为我国智能设备“100%”实现国产化和“全产品”可替代性提供了坚实的技术保障,同时也推动了我国半导体产业的发展,加强了我国在高端存储芯片领域的竞争力,有助于提高我国智能手机、平板电脑等移动设备的核心竞争力和市场份额。

图片来源于 长鑫存储官网(https://www.cxmt.com/),如有侵权请联系在线客服,我方会立即删除!

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