电子级四氯化硅纯度检测

检测项目

1.总纯度与主含量分析：四氯化硅主成分含量测定，总杂质含量测试。

2.痕量金属杂质检测：钠、钾、钙、镁、铁、铜、锌、铬、镍、铝、锰等金属离子浓度。

3.颗粒物与不溶物分析：大于特定尺寸的颗粒数量及粒径分布，固体不溶物含量。

4.水分含量测定：产品中微量水分的精确测量。

5.氯离子及其他阴离子检测：游离氯离子、硫酸根离子等阴离子杂质含量。

6.总有机碳含量分析：产品中可挥发及不可挥发有机杂质的总量测试。

7.硼、磷杂质专项检测：对半导体性能有严重影响的硼、磷元素特测。

8.气体杂质分析：溶解或包裹的氧气、氮气、氢气、一氧化碳、二氧化碳等气体含量。

9.光学特性测试：特定波长下的透光率或吸光度，测试色度与浊度。

10.颗粒浓度与计数：采用光散射法对单位体积内颗粒进行定量计数。

11.同位素丰度检测：硅同位素的比例分析，用于特定高端工艺。

检测范围

多晶硅生产用四氯化硅原料、光纤预制棒合成用四氯化硅、半导体外延生长用四氯化硅、硅烷化学生气相沉积用原料、精馏提纯中间品、合成粗品、经回收处理的三氯氢硅转化料、不同包装规格的槽车液、钢瓶装产品、蚀刻工艺产生的含硅废液、仓储过程中的稳定性监测样品、生产工艺线上实时取样样品

检测设备

1.气相色谱质谱联用仪：用于分离和鉴定挥发性有机杂质；具备高灵敏度与化合物库检索能力。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定ppt至ppb级别的痕量金属杂质；拥有极低的检出限和宽线性范围。

3.颗粒计数器：基于光散射原理统计液体中颗粒的数量与粒径分布；需配备超净取样系统。

4.卡尔费休水分测定仪：精确测定液体中微量水分含量；采用库仑法或容量法，适用于不同水分范围。

5.离子色谱仪：用于分析氯离子、硫酸根等阴离子杂质；利用离子交换分离，电导检测器检测。

6.总有机碳分析仪：通过氧化法将有机碳转化为二氧化碳并检测，从而测定总有机碳含量。

7.紫外可见分光光度计：测量样品在特定波长下的吸光度或透光率，用于测试色度与特定杂质。

8.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于测定含量较高的金属杂质；分析速度快，可多元素同时测定。

9.气体质谱分析仪：专用于检测溶解在液体中的微量气体杂质；通常配备顶空进样或膜分离进样系统。

10.超净取样与预处理系统：在受控环境下完成样品的转移、分装与前处理，防止引入二次污染；包括洁净工作台、特氟龙材质容器等。

相关检测的发展前景与展望

随着半导体工艺节点不断微缩与光伏电池效率持续提升，对电子级四氯化硅的纯度要求将迈向亚ppb乃至ppt级。检测技术正向更高灵敏度、更宽谱分析及更快速在线监测发展。电感耦合等离子体质谱技术与气相色谱质谱联用技术的联用与优化将成为主流，以实现更全面的杂质监控。自动化与智能化样品前处理及数据分析系统将显著提升检测通量与结果一致性。同时，针对新型杂质与工艺缺陷关联性研究将推动检测方法学创新，而行业标准的不断完善与统一，也将为产业链的高质量发展提供坚实的技术支撑与质量基准。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.