集成电路杂质分析

检测项目

1.晶圆表面金属污染物分析：钠、钾、钙、铁、铜、镍、锌、铝、铬等碱金属及过渡金属元素含量。

2.体材料与薄膜中掺杂元素分析：硼、磷、砷、锑等III-V族杂质浓度与分布剖面。

3.工艺化学品残留分析：蚀刻液、清洗剂、显影液中的阴离子、阳离子及有机组分残留。

4.光刻胶及相关有机物残留：碳氢化合物、溶剂、光酸产生剂、聚合物残留物。

5.电介质薄膜杂质分析：氧化硅、氮化硅薄膜中的水分、羟基、氢、碳污染物。

6.金属互连层污染物分析：铜、铝导线中的氧、氯、硫、氟等杂质，以及阻挡层元素扩散。

7.封装材料析出物与污染物：模塑料中的卤素、离子性杂质，以及来自引线框架的金属迁移物。

8.芯片背面与边缘污染：研磨液残留、背面金属污染、切割产生的颗粒物。

9.气氛与环境污染物分析：芯片内部空腔中的水汽、氧气、氢气及有机气体含量。

10.颗粒与缺陷成分鉴定：晶圆表面或内部缺陷点的元素组成与化合物结构分析。

11.高介电常数材料与金属栅极杂质：铪基、锆基高k材料中的杂质，金属栅极中的氧、氮含量。

12.硅片本体杂质分析：晶体原生缺陷、氧沉淀、碳含量及其分布均匀性。

13.键合界面污染物分析：芯片贴装、引线键合、倒装焊界面处的氧化物、有机物及金属间化合物。

14.钝化层完整性测试：钝化层中的针孔、裂缝及其对杂质阻挡能力的间接分析。

15.超痕量放射性元素分析：铀、钍等阿尔法粒子发射体杂质的极低含量检测。

检测范围

硅抛光片、外延片、绝缘体上硅片、化学气相沉积薄膜、物理气相沉积薄膜、旋涂玻璃、铜化学机械抛光后晶圆、光刻后图形化晶圆、离子注入后晶圆、刻蚀后结构晶圆、单片集成电路、混合集成电路、存储器芯片、处理器芯片、传感器芯片、射频芯片、功率器件、封装用引线框架、陶瓷封装体、塑料封装体、晶圆级封装中间品、倒装芯片凸点、键合丝、芯片粘接材料、模塑化合物、底部填充胶

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于深度剖析薄膜及体材料中的元素分布，具备极高灵敏度与深度分辨率。

2.俄歇电子能谱仪：用于表面及界面数纳米内层的元素成分与化学态分析，特别适用于轻元素。

3.电感耦合等离子体质谱仪：用于溶液或酸溶解后样品中超痕量金属杂质的定性与定量分析。

4.全反射X射线荧光光谱仪：用于晶圆表面痕量金属污染物的快速、无损、面扫描分析。

5.气相色谱-质谱联用仪：用于鉴定与定量挥发性及半挥发性有机污染物与残留溶剂。

6.离子色谱仪：用于精确分析工艺液体或晶圆表面萃取液中的阴离子、阳离子及有机酸杂质。

7.傅里叶变换红外光谱仪：用于分析薄膜中的化学键、杂质基团及水分含量，可进行映射分析。

8.飞行时间二次离子质谱仪：用于表面有机污染物、高分子添加剂的分子成像与深度剖析。

9.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪：用于固体样品的直接、原位、微区元素成分分析，空间分辨率高。

10.扫描电子显微镜与X射线能谱仪：用于观测缺陷形貌并同步进行微区元素成分的定性与半定量分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.