检测项目
1.电性能参数漂移量:直流电阻、交流阻抗、电容值、电感量、品质因数、漏电流、击穿电压、阈值电压、导通压降、截止漏电流、增益系数、频率响应、相位偏移、噪声系数、绝缘电阻。
2.焊点完整性测试:焊球剪切强度、焊盘剥离强度、焊点空洞率、裂纹长度、裂纹密度、界面金属间化合物厚度、富铅相析出面积、锡须生长长度、疲劳寿命循环数、失效模式分类。
3.封装界面分层检测:塑封料与芯片界面、塑封料与基板界面、基板与散热器界面、引线框架与塑封料界面、空洞面积百分比、分层起始温度、分层扩展速率、吸水率增量、玻璃化转变温度偏移。
4.机械应力残余量:翘曲度变化、共面度偏差、引线拉力强度、基板弯曲强度、封装体微裂纹、芯片表面应力斑、散热器安装扭矩衰减、导热胶剥离强度。
5.热阻特性变化:结到环境热阻、结到壳热阻、壳到散热器热阻、瞬态热阻抗、热界面材料热阻、导热垫片压缩回弹率、散热器底板平整度。
6.密封性衰减:细检漏率、粗检漏率、氦质谱漏率、放射性示踪漏率、玻璃绝缘子裂纹、陶瓷封装透气率、金属盖板焊缝孔隙。
7.材料热膨胀匹配性:芯片与基板膨胀系数差、塑封料与引线框架膨胀系数差、基板与散热器膨胀系数差、焊料与焊盘膨胀系数差、热失配应力集中系数。
8.电迁移敏感度:铝条电迁移中位寿命、铜互连电迁移激活能、电流密度阈值、离子迁移枝晶长度、阳极丝生长速率、绝缘电阻下降百分比。
9.离子污染析出量:氯离子含量、钠离子含量、钾离子含量、溴离子含量、硫酸根离子含量、表面绝缘电阻下降率、电化学迁移时间。
10.光学性能稳定性:发光二极管光通量维持率、峰值波长漂移、色坐标偏移、光谱半峰宽变化、激光二极管阈值电流漂移、斜率效率衰减。
11.磁性能参数漂移:电感磁导率下降率、磁芯损耗增量、饱和磁感应强度衰减、矫顽力变化、磁滞回线面积变化。
12.声学特性变化:压电陶瓷谐振频率漂移、机电耦合系数下降、声表面波滤波器中心频率偏移、插入损耗增量。
13.高频特性退化:介电常数变化、介质损耗角正切增量、特性阻抗漂移、回波损耗增量、串扰系数增大。
14.存储单元保持力:闪存电荷保持时间、动态存储器刷新周期增量、静态存储器位翻转率、铁电存储器剩余极化强度衰减。
15.微结构缺陷扩展:芯片金属层空洞面积、硅通孔裂纹长度、钝化层针孔密度、聚酰亚胺层分层面积、金球键合颈缩率。
检测范围
1.半导体分立器件:硅基二极管、碳化硅肖特基二极管、快恢复二极管、齐纳二极管、可控硅、场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、达林顿晶体管、射频功率管、光敏三极管。
2.集成电路封装:双列直插封装、四方扁平封装、球栅阵列封装、芯片级封装、倒装芯片封装、系统级封装、多芯片模块、晶圆级封装、无引线封装、薄型小尺寸封装。
3.无源元件:多层陶瓷电容器、铝电解电容器、钽电解电容器、薄膜电容器、功率电感器、片式磁珠、共模扼流圈、压敏电阻器、热敏电阻器、高精度电阻网络。
4.光电器件:发光二极管、激光二极管、光电耦合器、光电传感器、红外接收头、光纤通信模块、电荷耦合器件、互补金属氧化物半导体图像传感器、微型显示器、紫外传感器。
5.功率模块:智能功率模块、功率因数校正模块、直流变换器模块、交流变频器模块、固态继电器、功率电阻模块、高压整流桥、晶闸管模块、集成门极换流晶闸管、功率金属氧化物半导体场效应晶体管模块。
6.高频元件:声表面波滤波器、体声波滤波器、微波功率放大器、射频开关、天线开关模块、定向耦合器、功率分配器、隔离器、环形器、高频连接器。
7.传感器件:微机电系统加速度计、陀螺仪、压力传感器、温湿度传感器、气体传感器、霍尔传感器、电流传感器、电压传感器、角度传感器、扭矩传感器。
8.汽车电子元件:发动机控制单元用功率器件、电池管理系统采样芯片、车载充电器整流模块、逆变器用驱动板、发光二极管车灯模块、毫米波雷达射频前端、超声波雷达探头、车载以太网变压器、高压直流继电器、智能保险丝。
9.航空航天元件:抗辐射金属氧化物半导体场效应晶体管、宇航级现场可编程门阵列、陶瓷封装运算放大器、高可靠晶体振荡器、宇航级直流转换器、耐辐射存储器、微波混合集成电路、温补晶振、固态功率放大器、星敏感器光电探测器。
10.消费电子元件:手机射频功率放大器、可穿戴设备用微机电系统麦克风、真无线蓝牙耳机用触摸芯片、平板电脑用摄像头模组、游戏手柄用六轴传感器、智能手表用有机发光二极管驱动芯片、笔记本电脑用电源管理集成电路、虚拟现实设备用微显示器、智能音箱用音频编解码器、电子烟用温度控制芯片。
11.工业控制元件:可编程逻辑控制器用输入输出模块、交流伺服驱动器用功率模块、工业以太网交换机用物理层芯片、电磁流量计用励磁线圈、隔离放大器、安全栅、信号隔离器、工业级实时时钟、看门狗定时器、固态硬盘控制芯片。
12.医疗电子元件:植入式心脏起搏器用电池管理芯片、医用超声发射接收芯片、便携式血糖仪用模拟前端、数字助听器用音频处理器、磁共振成像用射频功率放大器、心电图机用仪表放大器、输液泵用电机驱动芯片、医用隔离电源模块、可穿戴生理监测传感器、胶囊内窥镜用图像处理芯片。
检测标准
国际标准:
IEC60749-25、IEC60749-20、IEC60749-30、IEC60068-2-14、IEC60068-2-33、JEDECJESD22-A104、JEDECJESD22-A105、JEDECJESD94、MIL-STD-883M1010、MIL-STD-750M1051
国家标准:
GB/T2423.22-2012、GB/T4937.20-2018、GB/T4937.25-2018、GB/T4937.30-2018、GB/T4937.35-2018、GB/T4937.101-2018、GB/T4937.102-2018、GB/T4937.103-2018、GB/T4937.104-2018、GB/T4937.105-2018、GJB548B-2005M1010、GJB128A-97M1051、GJB548B-2005M1038、GJB360B-2009M1056、GJB360B-2009M1080
检测设备
1.三箱式温度循环试验箱:高温箱、低温箱、测试箱独立循环,转换时间小于十秒,温度范围负六十五摄氏度至正一百八十摄氏度,温度变化率每分钟十五摄氏度,可编程循环次数十万次以上,支持液氮辅助降温。
2.气密性氦质谱检漏仪:最小可检漏率每秒五乘以十的负十三次方帕斯卡立方米,启动时间小于一百八十秒,支持逆扩散与正压两种模式,内置标准漏孔校准系统,可连接自动夹具实现批量检测。
3.高分辨率数字显微镜:光学放大倍数五十倍至一千倍,电动变焦精度一微米,配备同轴与环形双光源,可拍摄高动态范围图像,支持裂纹长度自动测量与统计分析,输出可追踪报告。
4.四线制精密电阻测试仪:电阻量程一微欧姆至一兆欧姆,精度百分之零点零一,温度系数零点一微欧姆每摄氏度,具备热电势补偿与自动清零功能,可连续记录阻值随温度变化曲线。
5.阻抗分析仪:频率范围二十赫兹至一百二十兆赫兹,阻抗模值精度百分之零点零五,相位精度零点零三度,内置等效电路拟合软件,可分离串联并联寄生参数,适用于陶瓷电容器与电感器特性漂移监测。
6.绝缘耐压测试仪:输出电压零至五千伏交流或直流,漏电流分辨率零点一微安,上升斜率可调,具备电弧侦测与击穿自动停止功能,可绘制电压漏电流曲线并判定失效阈值。
7.热阻测试系统:采用静态与动态双界面法,结温测量精度零点一摄氏度,热阻分辨率零点零一摄氏度每瓦,支持连续脉冲与阶梯功率两种模式,可自动计算结构函数并定位热障界面。
8.电感耦合等离子体发射光谱仪:波长范围一百六十五纳米至九百纳米,可同时测定七十种元素,检出限低至亚微克每升,具备氢化物发生与激光剥蚀进样附件,用于封装材料离子污染定量分析。
9.扫描电子显微镜与能谱仪联用系统:二次电子分辨率一点二纳米,加速电压零点零二至三十千伏,能谱仪能量分辨率一百三十电子伏,可对焊点裂纹与金属间化合物进行形貌与成分同步分析。
10.高频网络分析仪:频率范围十兆赫兹至一百一十吉赫兹,动态范围一百四十二分贝,支持时域与频域变换,可测量插入损耗、回波损耗、群时延等参数,测试射频元件在温度循环后的性能退化。
11.精密电容漏电流测试系统:施加电压零至一百伏,电流测量范围零点零零一微安至一毫安,温度范围负五十五摄氏度至正一百五十摄氏度,支持多通道并行测试,自动记录漏电流随时间变化曲线。
12.光色电综合测试系统:积分球直径一米,涂层反射率大于百分之九十八,可测光通量、光效、色坐标、显色指数、峰值波长、光谱功率分布,温控平台范围负四十摄氏度至正一百二十五摄氏度,用于光电器件温度循环后光衰测试。
13.微焦点射线检测系统:射线管焦点尺寸三微米,最大管电压一百六十千伏,可倾斜七十度旋转三百六十度,具备计算机断层扫描功能,用于检测封装内部空洞、裂纹、键合丝偏移等缺陷。
14.动态信号分析仪:采样率每秒五十兆样本,带宽二十兆赫兹,可测谐振频率、品质因数、阻抗谱、相位谱,配备恒温夹具,可监测压电陶瓷与声表面波器件在温度循环后的频响漂移。
15.自动推拉力测试机:最大推力二百牛顿,最大拉力一百牛顿,分辨率零点零一牛顿,可切换推球、推线、拔球、剪切四种模式,用于测试焊点与键合点在温度循环后的机械强度退化。
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。