半导体指标限量试验

检测项目

1. 痕量元素杂质分析：碱金属含量，碱土金属含量，重金属含量，过渡金属含量，铀钍放射性元素含量。

2. 晶体缺陷与位错检测：位错密度，层错密度，氧沉淀密度，空洞缺陷，微管缺陷。

3. 电学参数限量测试：载流子浓度，电阻率，迁移率，少数载流子寿命，击穿电压。

4. 表面与界面污染物分析：有机污染物总量，无机粒子计数，金属污染物面密度，氧化物厚度。

5. 薄膜特性参数检测：薄膜厚度，折射率，应力，密度，台阶覆盖率。

6. 掺杂浓度与分布分析：硼磷砷等掺杂剂浓度，掺杂分布均匀性，结深。

7. 化学成分与配比分析：化合物半导体组分比例，氧碳含量，氮含量，氢含量。

8. 机械性能参数测试：杨氏模量，硬度，断裂韧性，内应力，晶圆翘曲度。

9. 热学性能参数检测：热导率，热膨胀系数，比热容，热稳定性。

10. 光学性能参数测试：光致发光光谱，吸收系数，折射率均匀性，缺陷发光中心。

11. 介电材料特性检测：介电常数，介质损耗，漏电流密度，击穿场强。

12. 封装材料有害物质限量：卤素含量，镉铅汞等重金属含量，多溴联苯类物质。

检测范围

硅抛光片、硅外延片、砷化镓晶圆、磷化铟衬底、氮化镓外延片、碳化硅衬底、锗晶片、光刻胶、化学机械抛光液、高纯靶材、电子特气、光掩模版、铜电镀液、低介电常数材料、锡球、焊膏、陶瓷封装外壳、塑料封装料、键合丝、芯片粘接胶

检测设备

1. 高分辨率二次离子质谱仪：用于深度剖析半导体中痕量杂质元素的浓度及其纵向分布；具备极高的元素检测灵敏度与深度分辨率。

2. 电感耦合等离子体质谱仪：用于定量分析半导体材料及化学品中超低浓度的金属杂质含量；检测限可达十亿分之一级别。

3. 全自动 spreading resistance probe：用于测量半导体外延层或扩散层的载流子浓度纵向分布；通过逐层研磨与电阻测试获得精准浓度剖面。

4. 深能级瞬态谱仪：用于检测半导体中深能级杂质和缺陷的浓度、能级位置及俘获截面；是分析器件可靠性问题的关键工具。

5. 傅里叶变换红外光谱仪：用于测定硅片中间隙氧、替代碳等轻元素的浓度；也可用于分析薄膜厚度与化学结构。

6. X射线衍射仪：用于分析半导体材料的晶体结构、晶格常数、应变状态以及缺陷密度；提供非破坏性的晶体质量测试。

7. 原子力显微镜：用于表征半导体表面与薄膜的形貌、粗糙度及微观机械性能；可进行纳米尺度的三维成像与测量。

8. 辉光放电质谱仪：用于对块体半导体材料进行从表面到体材料的全元素定量分析；特别适用于高纯材料的杂质普查。

9. 四探针电阻测试仪：用于快速无损测量半导体晶圆或薄膜的方块电阻与电阻率；是工艺监控的常规设备。

10. 热波检测系统：用于非接触式测量半导体材料的载流子寿命、扩散长度及表面复合速率；基于调制光热效应原理。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.