单晶硅片测试

检测项目

1.几何参数检测：厚度、总厚度偏差、弯曲度、翘曲度、平整度。

2.晶体结构评价：晶向偏离度、位错密度、晶格畸变、微缺陷。

3.电学特性分析：电阻率、电阻率均匀性、少数载流子寿命、载流子浓度。

4.表面质量测试：粗糙度、微裂纹、划痕、崩边、污染颗粒。

5.化学成分分析：氧碳含量、金属杂质浓度、掺杂元素分布。

6.热学性能测试：热膨胀系数、热导率、高温稳定性。

7.机械强度测试：抗折强度、硬度、断裂韧度、弹性模量。

8.边缘轮廓检测：倒角形状、倒角宽度、边缘粗糙度。

9.洁净度检测：表面有机残留物、离子污染量、静电水平。

10.内部缺陷扫描：微孔洞、沉淀物分布、应力分布。

检测范围

光伏级单晶硅片、半导体级单晶硅片、直拉法单晶硅片、区熔法单晶硅片、抛光片、外延片、扩散片、退火片、薄膜硅片、大尺寸硅片、异质结专用硅片、钝化发射极硅片、掺硼硅片、掺磷硅片、掺镓硅片、背场硅片、双面受光硅片、切割原片、金刚线切割硅片、激光开槽硅片

检测设备

1.激光干涉平整度仪：利用相干光干涉原理测量硅片的几何形变。

2.准稳态光电导衰减测试仪：测试半导体材料的载流子复合特性。

3.四探针电阻率测试仪：通过多点接触测量材料的电阻率分布。

4.红外吸收光谱分析仪：定量分析硅晶格中的间隙氧与代位碳。

5.扫描探针显微镜：获取硅片表面的三维形貌及纳米级特征。

6.场发射扫描电子显微镜：高分辨率观察微观缺陷与形貌特征。

7.全反射射线荧光分析仪：非破坏性检测表面的金属元素污染。

8.自动表面缺陷检测系统：通过光学成像自动识别外观各类瑕疵。

9.电感耦合等离子体质谱系统：检测材料本体中的超痕量杂质元素。

10.射线衍射仪：精确测定晶体取向以及晶格完整性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.