检测项目
1.电性能测试:漏电流、击穿电压、阈值电压、导通电阻、饱和电流、开关速度、噪声系数、增益、频率响应、阻抗匹配、信号完整性、功耗、静电放电敏感性、闩锁效应、热载流子注入等。
2.机械性能测试:键合强度、封装完整性、热循环耐久性、机械冲击耐受性、振动疲劳、弯曲强度、粘附力、引线疲劳、封装裂纹、芯片剥离、材料硬度、应力分布、界面可靠性、蠕变性能、疲劳寿命等。
3.热性能测试:热阻、结温、热循环寿命、热扩散系数、热稳定性、高温存储性能、低温存储性能、热冲击耐受性、热失控临界点、散热效率、温度均匀性、热膨胀系数、热应力分析、热老化测试等。
4.环境适应性测试:湿度敏感性、盐雾腐蚀、温度循环、湿热老化、低气压适应性、臭氧暴露、紫外辐射耐受性、化学气体侵蚀、粉尘污染、液体浸渍、霉菌生长、振动冲击、机械冲击、正弦振动、随机振动等。
5.寿命测试:加速寿命试验、老化测试、失效分析、平均无故障时间、可靠性预测、寿命分布模型、退化机制研究、退役测试、循环耐久性、存储寿命、工况模拟测试等。
6.封装可靠性测试:密封性能、防潮等级、气密性、焊接强度、界面分层、空洞检测、材料兼容性、热匹配性、机械应力耐受、疲劳裂纹、封装变形、粘接可靠性、引线键合完整性等。
7.材料分析测试:硅片纯度、金属层厚度、介电常数、杂质含量、晶体缺陷、界面特性、氧化层质量、掺杂均匀性、材料降解、气体析出、化学反应产物等。
8.功能安全测试:故障诊断、预警机制、通信协议验证、数据记录完整性、安全状态测试、风险分析、功能安全等级、软件可靠性、冗余设计测试、失效模式影响分析等。
9.电磁兼容性测试:辐射发射、传导发射、辐射抗扰度、传导抗扰度、静电放电耐受性、电快速瞬变脉冲群抗扰度、浪涌冲击耐受性、电压暂降适应性、短时中断恢复、谐波电流影响等。
10.信号完整性测试:时序抖动、眼图分析、串扰干扰、反射损耗、阻抗控制、信号衰减、噪声抑制、时钟稳定性、数据传输误码率、接口兼容性等。
11.功率循环测试:功率密度、效率衰减、热循环次数、电流应力、电压应力、开关损耗、导通损耗、动态响应、过载保护、短路保护、热关断性能等。
12.高温高湿测试:湿度老化、结露影响、离子迁移、腐蚀速率、绝缘性能退化、材料膨胀、界面失效、电化学迁移、氧化加速、寿命缩短测试等。
13.低温性能测试:低温启动特性、材料脆化、热收缩效应、电气参数漂移、机械强度变化、界面应力、疲劳加速、失效模式分析等。
14.振动与冲击测试:共振频率、加速度耐受、位移极限、疲劳寿命、机械稳定性、封装松动、引线断裂、芯片位移、连接失效、共振点识别等。
15.辐射耐受性测试:总剂量效应、单粒子效应、位移损伤、电离辐射影响、非电离辐射耐受性、软错误率、硬错误检测、材料变性、性能退化分析等。
检测范围
微处理器、图形处理器、存储器芯片、功率半导体、传感器芯片、射频集成电路、模拟集成电路、数字集成电路、系统级芯片、嵌入式处理器、通信芯片、汽车电子芯片、工业控制芯片、消费电子芯片、航空航天用芯片、医疗设备芯片、物联网芯片、人工智能芯片、可穿戴设备芯片、光电子芯片。
检测方法/标准
国际标准:
JESD22-A101、JESD22-A104、JESD22-A110、JESD22-A108、JESD22-B101、JESD22-B103、JESD22-B104、JESD22-B105、JESD22-B106、JESD22-B107、IEC 60749-1、IEC 60749-2、IEC 60749-3、IEC 60749-4、IEC 60749-5、IEC 60749-6、IEC 60749-7、IEC 60749-8、IEC 60749-9、IEC 60749-10、IEC 60749-11、IEC 60749-12、IEC 60749-13、IEC 60749-14、IEC 60749-15、IEC 60749-16、IEC 60749-17、IEC 60749-18、IEC 60749-19、IEC 60749-20、IEC 60749-21、IEC 60749-22、IEC 60749-23、IEC 60749-24、IEC 60749-25、IEC 60749-26、IEC 60749-27、IEC 60749-28、IEC 60749-29、IEC 60749-30、IEC 60749-31、IEC 60749-32、IEC 60749-33、IEC 60749-34、IEC 60749-35、IEC 60749-36、IEC 60749-37、IEC 60749-38、IEC 60749-39、IEC 60749-40、IEC 60749-41、IEC 60749-42、IEC 60749-43、IEC 60749-44、IEC 60749-45、IEC 60749-46、IEC 60749-47、IEC 60749-48、IEC 60749-49、IEC 60749-50、ISO 16750-1、ISO 16750-2、ISO 16750-3、ISO 16750-4、ISO 16750-5
国家标准:
GB/T 4937.1、GB/T 4937.2、GB/T 4937.3、GB/T 4937.4、GB/T 4937.5、GB/T 4937.6、GB/T 4937.7、GB/T 4937.8、GB/T 4937.9、GB/T 4937.10、GB/T 4937.11、GB/T 4937.12、GB/T 4937.13、GB/T 4937.14、GB/T 4937.15、GB/T 4937.16、GB/T 4937.17、GB/T 4937.18、GB/T 4937.19、GB/T 4937.20、GB/T 4937.21、GB/T 4937.22、GB/T 4937.23、GB/T 4937.24、GB/T 4937.25、GB/T 4937.26、GB/T 4937.27、GB/T 4937.28、GB/T 4937.29、GB/T 4937.30、GB/T 2423.1、GB/T 2423.2、GB/T 2423.3、GB/T 2423.4、GB/T 2423.5、GB/T 2423.6、GB/T 2423.7、GB/T 2423.8、GB/T 2423.9、GB/T 2423.10、GB/T 2423.11、GB/T 2423.12、GB/T 2423.13、GB/T 2423.14、GB/T 2423.15、GB/T 2423.16、GB/T 2423.17、GB/T 2423.18、GB/T 2423.19、GB/T 2423.20、GB/T 2423.21、GB/T 2423.22、GB/T 2423.23、GB/T 2423.24、GB/T 2423.25、GB/T 2423.26、GB/T 2423.27、GB/T 2423.28、GB/T 2423.29、GB/T 2423.30、GB/T 2423.31、GB/T 2423.32、GB/T 2423.33、GB/T 2423.34、GB/T 2423.35、GB/T 2423.36、GB/T 2423.37、GB/T 2423.38、GB/T 2423.39、GB/T 2423.40、GB/T 2423.41、GB/T 2423.42、GB/T 2423.43、GB/T 2423.44、GB/T 2423.45、GB/T 2423.46、GB/T 2423.47、GB/T 2423.48、GB/T 2423.49、GB/T 2423.50
检测设备
1.高温烘箱:用于进行高温存储和老化测试,模拟芯片在高温环境下的长期性能;温度控制精确,可编程升温速率,内部空气循环均匀,数据记录功能完整。
2.热循环测试系统:执行温度循环试验,测试芯片在热应力下的可靠性;快速温度变化能力,多区温度控制,自动循环计数,失效检测机制。
3.振动测试台:模拟机械振动环境,测试芯片的机械耐久性和封装完整性;可调频率和振幅,正弦和随机振动模式,加速度传感器集成,实时监测系统。
4.盐雾试验箱:用于盐雾腐蚀测试,测试芯片在恶劣环境下的耐腐蚀性能;盐雾浓度可控,喷雾均匀,腐蚀速率测量,环境模拟准确。
5.电性能测试仪:测量芯片的电特性参数,如漏电流、击穿电压和阻抗;高精度测量单元,多通道配置,自动化测试序列,数据分析软件。
6.静电放电模拟器:进行静电放电敏感性测试,验证芯片的抗静电能力;可调放电电压和波形,接触和非接触模式,安全防护措施,结果记录功能。
7.湿热老化箱:模拟高湿高温环境,测试芯片的湿度敏感性和老化性能;温湿度控制稳定,循环模式可选,长期测试支持,失效分析辅助。
8.机械冲击测试机:执行机械冲击试验,测试芯片在突然冲击下的机械强度;冲击加速度可调,波形控制精确,样品固定可靠,数据采集系统。
9.辐射测试设备:用于辐射耐受性测试,模拟空间或医疗环境中的辐射影响;辐射源可控,剂量测量准确,实时监控,安全标准符合。
10.信号完整性分析仪:分析芯片的信号传输质量,包括时序和噪声;眼图生成功能,误码率计算,阻抗匹配测试,高频信号处理能力。
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。