碳化硅工艺测试

检测项目

1.晶体结构质量测试：位错密度测定，层错密度分析，多型结构鉴定，晶向偏差测量。

2.表面与界面特性测试：表面粗糙度测量，台阶覆盖率测试，界面态密度分析，欧姆接触电阻测试。

3.外延层质量测试：外延层厚度测量，掺杂浓度与均匀性分析，载流子迁移率测试，缺陷密度扫描。

4.薄膜与金属化层测试：栅氧化层质量分析，介质层击穿电压测试，金属层附着力测试，薄膜应力测量。

5.化学组分与污染测试：体材料纯度分析，表面金属污染检测，氧碳含量测定，二次离子质谱深度剖析。

6.电学性能基础测试：电阻率与方阻测量，载流子浓度与类型判定，霍尔效应测试，电流-电压特性曲线测试。

7.器件静态参数测试：阈值电压测试，导通电阻测量，漏电流测试，栅极泄漏电流测试。

8.器件动态与开关特性测试：开关速度测试，反向恢复特性分析，栅极电荷测量，开关损耗测试。

9.可靠性及寿命测试：高温反偏测试，高温栅偏测试，功率循环测试，温度循环与热冲击测试。

10.热特性测试：热阻测试，结温测量，热导率分析，红外热成像分析。

11.物理尺寸与形貌测试：关键尺寸测量，套刻精度分析，三维形貌重建，缺陷自动检测。

12.光学特性测试：光致发光谱测试，拉曼光谱分析，椭圆偏振光谱测量，缺陷发光中心鉴定。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅同质外延片、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管晶圆、碳化硅肖特基二极管晶圆、碳化硅绝缘栅双极型晶体管芯片、碳化硅功率模块、碳化硅栅氧化层样品、碳化硅欧姆接触电极样品、碳化硅刻蚀后图形化样品、碳化硅钝化层样品、碳化硅器件封装成品、碳化硅外延反应腔体沉积试样

检测设备

1.高分辨率X射线衍射仪：用于精确分析碳化硅晶体的结晶质量、晶格常数、外延层厚度与应变；具备双晶衍射与倒易空间映射功能。

2.原子力显微镜：用于表征碳化硅表面及薄膜的纳米级形貌与粗糙度；可进行导电模式测量以分析电学性质分布。

3.扫描电子显微镜：用于观察碳化硅材料及器件的微观形貌、断面结构与缺陷；配备能谱仪可进行微区成分分析。

4.二次离子质谱仪：用于对碳化硅材料进行深度方向的元素成分及杂质分布分析；灵敏度极高，可检测痕量掺杂与污染。

5.霍尔效应测试系统：用于测量碳化硅外延层的载流子浓度、迁移率、电阻率及导电类型；通常配备变温装置。

6.半导体参数分析仪：用于精确测量碳化硅器件的直流电流-电压特性，获取阈值电压、导通电阻、漏电流等关键静态参数。

7.动态参数测试系统：用于测试碳化硅功率器件的开关特性，测量开关时间、开关能量及反向恢复电流等动态参数。

8.深能级瞬态谱仪：用于检测碳化硅材料及器件中的深能级缺陷，分析缺陷的能级位置、浓度和俘获截面。

9.飞秒激光热反射测试系统：用于非接触式测量碳化硅材料及器件的热导率、热扩散率及薄膜界面热阻。

10.高温高电压可靠性测试系统：用于对碳化硅器件进行长时间的高温反偏、高温栅偏等加速寿命测试，测试其长期可靠性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.