CMA资质
CMA资质
cnas资质
cnas资质
cnas资质
cnas资质
高新技术企业证书
高新技术企业证书

散射离子能量检测

原创
关键字: 散射离子能量测试周期,散射离子能量测试案例,散射离子能量项目报价
发布时间:2025-02-18 17:03:39
最近访问:
阅读:
字体大小: || || || 复原

检测项目

散射离子能量检测主要聚焦于以下核心项目:

表面元素分析:通过离子与材料表面原子碰撞的能量损失特征,解析表层元素的种类与分布

薄膜厚度测量:基于能量衰减模型计算纳米级镀层/涂层的绝对厚度值,精度达±0.3nm

晶体损伤测试:量化离子注入导致的晶格畸变程度,输出损伤深度剖面图

掺杂浓度检测:测定半导体材料中掺杂元素的浓度梯度分布,检测限达1E15 atoms/cm³

检测范围

本技术适用于以下材料体系:

材料类别典型样品能量范围
半导体硅晶圆、GaN外延片50keV-2MeV
金属材料钛合金表面改性层100keV-3MeV
光学镀膜AR/IR涂层堆栈200keV-1.5MeV
新能源材料固态电解质薄膜300keV-2.2MeV

检测方法

Rutherford背散射谱法(RBS)

采用

1-3MeV He+离子束

E = K·E₀·[M₂cosθ + sqrt(M₂² - M₁²sin²θ)]/(M₁ + M₂)

其中K为运动学因子,θ为探测器方位角。典型测试条件:束流5nA,真空度≤5×10⁻⁷ Torr

弹性反冲探测(ERD)

使用飞行时间探测器测量反冲粒子,特别适用于轻元素分析:

入射粒子选择:Cl⁺或I⁺离子束

探测器配置:双微通道板+位置敏感探测器

深度分辨率:<5nm@100nm深度

检测仪器

串联静电加速器

主要技术参数:

终端电压:0.5-3MV连续可调

束流稳定性:±0.05%/8h

离子种类:H⁺/He⁺/Li⁺/B⁺

硅漂移探测器(SDD)

关键性能指标:

能量分辨率:≤0.8%@5.9keV

有效探测面积:50mm²

工作温度:-30℃(帕尔贴制冷)

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.

内容-荣誉资质

其他证书详情(可咨询在线工程师):

荣誉资质 国防经济发展促进会 AAA级信用证书

合作客户(部分)

1、自改制以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;

2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;

3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;

4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。

合作客户