散射离子能量检测

检测项目

散射离子能量检测主要聚焦于以下核心项目：

表面元素分析：通过离子与材料表面原子碰撞的能量损失特征，解析表层元素的种类与分布

薄膜厚度测量：基于能量衰减模型计算纳米级镀层/涂层的绝对厚度值，精度达±0.3nm

晶体损伤测试：量化离子注入导致的晶格畸变程度，输出损伤深度剖面图

掺杂浓度检测：测定半导体材料中掺杂元素的浓度梯度分布，检测限达1E15 atoms/cm³

检测范围

本技术适用于以下材料体系：

检测方法

Rutherford背散射谱法(RBS)

采用

1-3MeV He+离子束

E = K·E₀·[M₂cosθ + sqrt(M₂² - M₁²sin²θ)]/(M₁ + M₂)

其中K为运动学因子，θ为探测器方位角。典型测试条件：束流5nA，真空度≤5×10⁻⁷ Torr

弹性反冲探测(ERD)

使用飞行时间探测器测量反冲粒子，特别适用于轻元素分析：

入射粒子选择：Cl⁺或I⁺离子束

探测器配置：双微通道板+位置敏感探测器

深度分辨率：<5nm@100nm深度

检测仪器

串联静电加速器

主要技术参数：

终端电压：0.5-3MV连续可调

束流稳定性：±0.05%/8h

离子种类：H⁺/He⁺/Li⁺/B⁺

硅漂移探测器(SDD)

关键性能指标：

能量分辨率：≤0.8%@5.9keV

有效探测面积：50mm²

工作温度：-30℃(帕尔贴制冷)

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.