散射离子能量检测主要聚焦于以下核心项目:
表面元素分析:通过离子与材料表面原子碰撞的能量损失特征,解析表层元素的种类与分布
薄膜厚度测量:基于能量衰减模型计算纳米级镀层/涂层的绝对厚度值,精度达±0.3nm
晶体损伤测试:量化离子注入导致的晶格畸变程度,输出损伤深度剖面图
掺杂浓度检测:测定半导体材料中掺杂元素的浓度梯度分布,检测限达1E15 atoms/cm³
本技术适用于以下材料体系:
采用
1-3MeV He+离子束
E = K·E₀·[M₂cosθ + sqrt(M₂² - M₁²sin²θ)]/(M₁ + M₂)
其中K为运动学因子,θ为探测器方位角。典型测试条件:束流5nA,真空度≤5×10⁻⁷ Torr
使用飞行时间探测器测量反冲粒子,特别适用于轻元素分析:
入射粒子选择:Cl⁺或I⁺离子束
探测器配置:双微通道板+位置敏感探测器
深度分辨率:<5nm@100nm深度
主要技术参数:
终端电压:0.5-3MV连续可调
束流稳定性:±0.05%/8h
离子种类:H⁺/He⁺/Li⁺/B⁺
关键性能指标:
能量分辨率:≤0.8%@5.9keV
有效探测面积:50mm²
工作温度:-30℃(帕尔贴制冷)
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
其他证书详情(可咨询在线工程师):
荣誉资质 国防经济发展促进会 AAA级信用证书
合作客户(部分)
1、自改制以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。