热光伏器件检测

检测项目

光电转换效率（PCE）：标准光照条件下AM1.5G光谱，测试范围300-2500nm，转换效率偏差≤±0.5%

热稳定性系数（TSC）：温度循环测试（-40℃~150℃），500次循环后效率衰减率≤3%

光谱响应均匀性（SRU）：空间分辨率50μm，波长精度±0.2nm，响应偏差≤5%

界面接触电阻（ICR）：四探针法测量，接触电阻≤1×10^-5 Ω·cm²

热膨胀系数匹配度（CTE）：温度梯度50-500℃，膨胀系数差异≤0.5×10^-6/K

检测范围

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件：GaAs、InGaP基单结/多结器件

硅基异质结器件：HIT结构及PERC改良型器件

新型热障涂层材料：ZrO₂/Y₂O₃复合涂层体系

柔性基底器件：PET/PEN基板弯曲半径≥5mm

微型集成模块：尺寸≤10×10×1mm³的芯片级器件

检测方法

光电性能测试：依据IEC 60904-9标准，采用三光源模拟器校准系统

热导率测定：ASTM E1461激光闪射法，温度分辨率±0.1℃

微观结构分析：ISO 16700标准的场发射扫描电镜（FESEM）

界面缺陷检测：DLTS深能级瞬态谱技术，灵敏度达10¹⁰ cm^-3

耐久性测试：IEC 61215湿热循环（85℃/85%RH）测试规程

检测设备

Keysight B2900系列精密源表：最小电流分辨率10fA，支持四象限输出

PerkinElmer Lambda 1050+紫外-近红外光谱仪：波长范围175-3300nm，杂散光＜0.00005%

Netzsch LFA 467 HyperFlash：热扩散系数测量精度±2%，温度范围-125℃~500℃

Zeiss Sigma 500场发射电镜：分辨率0.8nm@15kV，配备EBSD晶体取向分析模块

Agilent B1500A半导体分析仪：支持10μV~100V宽范围脉冲测试

技术优势

获得CNAS（注册号详情请咨询工程师）和ILAC-MRA国际互认资质，检测报告全球89个国家认可

配备Class 1000级超净实验室，温控精度±0.1℃，振动＜1μm

15人专家团队含3名IEC TC82技术委员会注册工程师

建立热光伏器件全生命周期数据库，收录超过12000组失效分析案例

自主研发TPV-SIM 2.0仿真系统，实现多物理场耦合建模误差＜3%

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.