晶粒细化温度检测

检测项目

动态再结晶起始温度（DRX）：测定范围600-1200℃，精度±2℃

晶粒长大临界温度（GGT）：检测范围400-1600℃，误差≤1.5%

相变诱发晶粒细化温度（PAGT）：检测分辨率0.5μm/℃

热加工窗口温度区间（TW）：测定范围300-1500℃，压力条件0-500MPa

晶界迁移活化能（GBE）：计算模型采用Arrhenius方程，温度梯度10℃/min

检测范围

金属材料：铝合金（AA6061/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）

高温合金：镍基合金（Inconel 718）、钴基合金（Stellite 6B）

结构陶瓷：氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）

半导体材料：单晶硅（Si）、砷化镓（GaAs）

复合材料：碳纤维增强环氧树脂（CFRP）、金属基复合材料（MMC）

检测方法

金相分析法：ASTM E112（晶粒度测定），GB/T 13298（金属显微组织检验）

差示扫描量热法（DSC）：ISO 11358-1，GB/T 19466.3

高温X射线衍射（HT-XRD）：ASTM E1426，JIS H 7804

电子背散射衍射（EBSD）：ISO 24173，GB/T 36422

热模拟试验法：采用Gleeble热力模拟机，符合ASTM E209

检测设备

蔡司Axio Imager A2m金相显微镜：配备5000K冷光源，最大放大倍数1500×

NETZSCH STA 449 F5同步热分析仪：温度范围-150℃至2000℃，TG-DSC联用

Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪：配备高温附件（最高1600℃），Cu靶Kα辐射

TSL OIM EBSD系统：空间分辨率≤0.1μm，角度分辨率≥0.5°

Gleeble 3800热模拟试验机：最大载荷100kN，加热速率10000℃/s

FEI Quanta 650 FEG扫描电镜：分辨率1.0nm@30kV，配备EDS能谱仪

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.