硅片反射率仪检测

检测项目

波长范围覆盖性：200-1100nm全波段扫描能力

入射角度精度：0°-75°可调入射角±0.1°误差控制

反射率绝对精度：±0.5% @632.8nm基准波长

光谱分辨率：≤2nm半峰宽(FWHM)

重复性误差：≤0.3% RSD（10次连续测量）

检测范围

单晶硅抛光片：直径150/200/300mm规格

多晶硅太阳能电池基板

SOI（绝缘体上硅）晶圆

氮化硅/氧化硅复合膜层结构

金属化处理硅基板（Al/Cu/Ti镀层）

检测方法

ASTM F1048-18：半导体材料反射率测试标准方法

ISO 14707:2021表面化学分析-辉光放电光谱法

GB/T 29556-2013表面化学分析-俄歇电子能谱法

SJ/T 11498-2015太阳能级硅片测试规范

GB/T 39143-2020光伏用硅材料反射率测试方法

检测设备

Filmetrics F40系列：配备微区光谱分析模块（50μm光斑）

Thermo Scientific NanoDrop 8000：紫外-可见全波长分析系统

KLA Tencor UV1280E：自动晶圆级反射率测绘仪

SENTECH SE850adv：椭偏光谱仪集成反射测量组件

Ocean Insight HDX-VIS-NIR：高动态范围光纤光谱系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.