电亲和势检测

检测项目

表面功函数测定：测量范围3.0-6.5eV，分辨率±0.02eV

电离能精确测量：测试精度±0.03eV（真空环境10⁻⁶Pa）

电子逸出深度分析：探测深度1-50nm（X射线激发）

费米能级定位：误差范围±5meV（低温77K条件）

表面态密度分布：能量分辨率0.1eV@1kHz带宽

检测范围

半导体材料：硅基材料（单晶/多晶硅）、III-V族化合物（GaAs,InP）

金属合金体系：贵金属涂层（Au/Pt）、过渡金属合金（NiCr,CoFeB）

纳米结构材料：量子点（CdSe,PbS）、二维材料（石墨烯,MoS₂）

有机导电材料：共轭聚合物（PEDOT:PSS）、有机半导体（C60,CuPc）

绝缘介质材料：氧化物薄膜（Al₂O₃,HfO₂）、高分子介电层（PI,PTFE）

检测方法

开尔文探针法：ASTM E2100-2021/GB/T 39251-2020

紫外光电子能谱：ISO 21270:2018/GB/T 40115-2021

场发射特性分析：IEC 62624-2019/GB/T 35031-2018

扫描隧道谱技术：ISO/TR 18196:2017

热电子发射法：ASTM F1467-2018

检测设备

KP6500开尔文探针系统：接触电位差测量（量程±5V），配备氙灯光源（能量4.9eV）

PHI 5000 VersaProbe III XPS：单色Al Kα源（1486.6eV），空间分辨率7.5μm

ScientaOmicron DA30L分析仪：角分辨光电子能谱（ARUPS），角度分辨率0.2°

RHK UHV-STM/AFM联合系统：隧道电流灵敏度10pA@300K

Lake Shore CRX-VF低温探针台：温控范围4K-475K（磁场强度1T）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.