本质锗检测

检测项目

1. 锗含量测定：采用光谱法测定总锗含量（99.99%-99.9999%）

2. 杂质元素分析：检测铁（≤5ppm）、铜（≤2ppm）、镍（≤3ppm）等痕量金属

3. 晶体结构表征：XRD测定晶格常数（5.658±0.001Å）及结晶度（≥98%）

4. 电学性能测试：电阻率（0.6-60Ω·cm）及载流子浓度（1×10¹³-1×10¹⁶/cm³）

5. 表面缺陷检测：激光扫描显微镜观测表面粗糙度（Ra≤0.5μm）

检测范围

1. 高纯锗单晶及多晶材料（纯度≥4N）

2. 锗基半导体器件（红外探测器、太阳能电池）

3. 光学级锗玻璃（8-14μm透光率≥45%）

4. 锗合金材料（Ge-Si、Ge-Te系）

5. 催化剂用纳米氧化锗（粒径20-100nm）

检测方法

ASTM E1217-21《高纯锗中杂质元素的ICP-MS测定》

ISO 17025:2017《锗材料化学分析的通用要求》

GB/T 5239-2021《锗单晶电阻率测试四探针法》

GB/T 17473.6-2020《微电子技术用锗片表面质量规范》

JIS H0601:2019《硅锗合金中成分比例测定方法》

检测设备

1. Agilent 8900 ICP-MS：痕量元素分析（检出限0.01ppb）

2. Rigaku SmartLab X射线衍射仪：晶体结构解析（角度精度±0.0001°）

3. Keysight B1500A半导体参数分析仪：电学特性测试（电流分辨率1fA）

4. Bruker ContourGT-X3光学轮廓仪：三维表面形貌测量（垂直分辨率0.1nm）

5. PerkinElmer STA8000同步热分析仪：热稳定性测试（温度范围25-1600℃）

6. Malvern Mastersizer 3000激光粒度仪：纳米颗粒分布分析（测量范围0.01-3500μm）

7. Thermo Scientific iCAP RQ MS：同位素比值测定（质量精度＜3ppm）

8. Hitachi SU8200场发射电镜：微观形貌观测（分辨率0.8nm@15kV）

9. LECO ONH836氧氮氢分析仪：气体元素测定（氧检出限0.05ppm）

10. Four Dimensions 4D FS-Pro四探针台：薄层电阻测绘（测量精度±1%）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.