单晶体生长检测

检测项目

1. 晶体取向偏差：采用X射线衍射法测定晶面法线与理论角度的偏离值（±0.1°）

2. 位错密度分析：通过化学腐蚀-显微观测法计算单位面积缺陷数量（10³-10⁶ cm⁻²）

3. 表面粗糙度测定：使用白光干涉仪测量Ra值（≤0.05μm）

4. 杂质浓度分布：二次离子质谱法（SIMS）检测B/P/As等元素含量（ppb级精度）

5. 热稳定性测试：高温退火实验（1200℃/24h）后观察位错增殖情况

检测范围

1. 半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)等电子级晶圆

2. 光学晶体：蓝宝石(Al₂O₃)、氟化钙(CaF₂)等激光窗口材料

3. 超硬单晶材料：金刚石(C)、立方氮化硼(c-BN)刀具基材

4. 压电晶体：铌酸锂(LiNbO₃)、石英(SiO₂)谐振器件

5. 高温合金单晶：镍基CMSX-4系列涡轮叶片材料

检测方法

1. ASTM F47-2018：X射线劳厄背反射法定向精度验证

2. ISO 14707:2015：扫描电镜(SEM)表面缺陷定量分析规程

3. GB/T 1554-2018：半导体单晶电阻率四探针测试法

4. ISO 13067:2020：电子背散射衍射(EBSD)晶界特征分析

5. GB/T 34879-2017：激光共聚焦显微术三维形貌测量

检测设备

1. Rigaku SmartLab X射线衍射仪：配备旋转样品台（±0.001°精度），实现全自动极图测量

2. Bruker D8 Discover高分辨衍射系统：用于亚微米级晶格畸变分析（λ=0.15406nm）

3. Veeco Dektak XT表面轮廓仪：12nm垂直分辨率接触式粗糙度测量

4. FEI Helios G4 UX聚焦离子束系统：实现纳米级截面制备与TEM样品加工

5. Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器：搭配SEM实现50nm空间分辨率取向分析

6. Agilent 8800三重四极杆ICP-MS：多元素同步检测（检出限≤0.1ppt）

7. Netzsch STA 449 F5同步热分析仪：-150℃~1600℃热膨胀系数测定

8. Zygo NewView 9000白光干涉仪：0.1Å垂直分辨率非接触三维形貌重建

9. Cameca IMS 7f-auto二次离子质谱仪：深度分辨率优于1nm的掺杂剖面分析

10. Leica DM8000M金相显微镜：配备500万像素CCD的自动缺陷统计系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

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