检测项目
表面完整性检测：
- 颗粒污染：尺寸≥0.05μm（SEMIM52），密度≤0.01/cm²
- 表面缺陷：划痕深度≤0.2μm（SEMIMF1543），凹坑密度≤3/mm²
- 粗糙度参数：Ra≤0.1nm（ISO4287）
薄膜特性检测：- 膜厚测量：偏差±1.5%（SEMIMF92），均匀性＞98.5%
- 折射率/消光系数：精度±0.001（椭圆偏振法ASTME1331）
- 应力测试：范围±500MPa（激光曲率法SEMIMF1390）
几何尺寸检测：- 厚度均匀性：TTV≤1μm（GB/T26068）
- 翘曲度：≤20μm（SEMIM1）
- 边缘轮廓：崩边≤15μm（SEMIM43）
电性参数检测：- 电阻率：0.001-100Ω·cm（四探针法ASTMF76）
- 少子寿命：≥300μs（微波光电导衰减GB/T1551）
- 氧化层击穿电压：≥10MV/cm（JESD35）
图形结构检测：- 关键尺寸（CD）：偏差±2.5nm（CD-SEMSEMIP35）
- 套刻精度：≤3.5nm（ISO14644）
- 线边缘粗糙度：≤1.2nm（RMS）
化学成分分析：- 金属杂质：Fe≤1E10atoms/cm²（VPD-ICPMS）
- 氧碳含量：O≤16ppma（FTIRASTMF1188）
- 表面元素：污染浓度≤1E13atoms/cm²（TXRF）
晶体质量检测：- 位错密度：≤500/cm²（蚀刻法GB/T1550）
- 滑移线检测：零允许（XRD衍射法SEMIMF1724）
- 晶向偏差：±0.15°（劳厄法ASTMF26）
洁净度验证：- 有机污染物：≤1ng/cm²（GC-MS）
- 离子污染：Na≤5E10atoms/cm²（IC）
机械性能检测：- 断裂强度：≥1.2GPa（三点弯曲法ASTMF394）
- 杨氏模量：130±10GPa（纳米压痕法ISO14577）
热性能检测：- 热膨胀系数：2.6±0.1×10⁻⁶/K（TMA法GB/T20671）
- 热导率：≥150W/mK（激光闪射法ASTME1461）
检测范围
1.单晶硅抛光片：涵盖150-300mm直径，侧重COP缺陷检测与局部平整度控制
2.SOI晶圆：埋氧层厚度（10-200nm）检测及界面态密度分析
3.外延片：外延层厚度（0.5-50μm）均匀性及位错密度测试
4.化合物半导体晶圆：GaAs/GaN基材缺陷映射及组分分布均匀性
5.光掩模基板：透光率＞98%（193nm）及相位缺陷扫描
6.太阳能级硅片：少数载流子寿命及内部量子效率测试
7.应变硅晶圆：应力分布图（拉曼光谱法）及迁移率增益验证
8.低温多晶硅基板：晶粒尺寸分布（＞1μm）及边界缺陷统计
9.硅晶锭：电阻率径向梯度＜5%及氧沉淀浓度分析
10.三代半导体衬底：SiC晶圆微管密度≤5cm⁻²，表面台阶高度≤0.5nm
检测方法
国际标准：
- SEMIM1-0718硅单晶抛光片规范
- SEMIMF1530非接触电阻率测试
- ASTMF1241晶向X射线测定
- ISO14707辉光放电质谱表面元素分析
国家标准：- GB/T26150-2010硅片几何尺寸测试
- GB/T30869-2014半导体晶片表面洁净度检测
- GB/T32279-2015硅片翘曲度测试方法
- GB/T40563-2021碳化硅单晶抛光片规范
（方法差异说明：SEMIMF1530采用四探针双配置，GB/T26150要求五点厚度测量；ASTMF1241规定X射线入射角±0.1°精度，国标允许±0.3°）
检测设备
1.表面扫描检测仪：KLASurfscanSP5（激光波长355nm，检测下限0.065μm）
2.椭偏测量仪：J.A.WoollamM2000UI（光谱范围190-1700nm，膜厚分辨率0.01Å）
3.原子力显微镜：BrukerDimensionIcon（扫描范围90μm，Z轴分辨率0.1nm）
4.四探针测试仪：KyenceRCP-T600（电阻率范围0.0001-10000Ω·cm）
5.临界尺寸扫描电镜：HitachiCG5000（电子束加速电压800V，分辨率0.6nm）
6.X射线衍射仪：RigakuATX-G（角度重复性±0.0001°，晶向精度0.005°）
7.全自动晶圆探针台：FormFactorCM300Xi（定位精度±0.25μm）
8.飞行时间二次离子质谱仪：IONTOFTOF.SIMS5（质量分辨率＞20000m/Δm）
9.傅里叶红外光谱仪：ThermoNicoletiN10（波数范围7500-350cm⁻¹，分辨率0.09cm⁻¹）
10.X射线荧光分析仪：RigakuZSXPrimusIV（元素检测范围B-U）
11.纳米压痕仪：KeysightG200（载荷分辨率0.01nN，位移分辨率0.003nm）
12.激光闪光热导仪：NetzschLFA467（温度范围RT-2800℃，热扩散率精度±3%）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作，并获得众多好评；
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领；
3、坚持科学发展道路，统筹实验建设与技术人才培养共同发展；
4、学习贯彻人大精神，努力发展自身科技实力。
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研究院地址
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