半对称晶体检测

检测项目

1.晶格常数测定：精度0.001（X射线衍射法），测量(100)/(110)晶面间距

2.缺陷密度分析：位错密度≤110⁶cm⁻（腐蚀坑法），层错率＜0.3%

3.元素分布表征：EDS面扫描分辨率1μm，成分偏差0.5at.%

4.热膨胀系数测试：温度范围-170~1500℃，精度0.0510⁻⁶/K

5.介电性能检测：频率1kHz-1MHz范围测试εr值偏差＜2%

检测范围

1.III-V族半导体材料：GaAs、InP单晶片（直径≤200mm）

2.非线性光学晶体：LiNbO₃、KTP晶体（尺寸≤505020mm）

3.压电陶瓷材料：PZT系陶瓷（居里点检测范围200-400℃）

4.高温超导材料：YBCO单晶（临界温度Tc≥90K）

5.磁性晶体材料：钇铁石榴石（饱和磁化强度0.18T5%）

检测方法

1.X射线衍射分析：ASTME975-20多晶材料残余应力测试标准

2.扫描电子显微镜法：ISO16700:2016显微结构表征规范

3.能谱定量分析：GB/T17359-2023微束分析技术要求

4.热膨胀系数测定：GB/T4339-2023金属材料热膨胀试验方法

5.介电频谱测试：IEC60250-2020固体绝缘材料介电性能测量

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备9kW旋转阳极靶，最小步进角0.0001

2.FEIQuanta250FEG场发射电镜：分辨率1nm@30kV，配备EDAXOctaneElite能谱仪

3.NetzschDIL402Expedis热膨胀仪：温度分辨率0.1℃，最大升温速率50K/min

4.AgilentE4991A阻抗分析仪：频率范围1MHz-3GHz，基本精度0.8%

5.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：XY扫描范围90μm90μm，Z分辨率0.1nm

6.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：空间分辨率≤50nm@20kV

7.LinkamTS1500高温载台：最高温度1500℃，控温精度0.1℃

8.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台：配置三轴测角仪系统

9.KeysightB1500A半导体分析仪：最小电流分辨率10aA

10.LeicaDM2700M偏光显微镜：配备LAS图像分析模块

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.