可擦取存储器检测

检测项目

1.擦写次数耐久性：记录单元在失效前的最大编程/擦除次数（P/Ecycles），测试范围10^3~10^6次

2.数据保持时间：85℃/85%RH环境下存储1000小时后数据误码率≤1E-5

3.温度循环测试：-40℃~125℃范围内进行1000次循环冲击

4.电气性能测试：包含编程电压（3.3V5%）、读取电流（≤10μA）、待机功耗（≤50mW）

5.接口兼容性：验证SPI/I2C/UFS接口协议符合JEDECJESD223D标准

检测范围

1.EEPROM存储器：汽车电子控制单元(ECU)用256Kb~2Mb容量芯片

2.NOR/NANDFlash：工业级3DTLC/QLC闪存芯片（节点尺寸14nm~28nm）

3.MRAM磁性存储器：航空航天用抗辐射非易失存储模块

4.相变存储器(PCM)：医疗设备用128Mb~1Gb高速存储器件

5.FeRAM铁电存储器：物联网终端用低功耗FRAM芯片

检测方法

1.ASTMF1242-2018：非易失性存储器数据保持能力加速测试方法

2.ISO/IEC29125:2017：电子元器件温度循环与机械冲击试验规范

3.GB/T26248-2021：半导体存储器耐久性试验方法及判定规则

4.JEDECJESD22-A117E：电荷俘获型存储器可靠性验证标准

5.GB/T35010-2018：存储器接口电气特性测量规范

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：执行编程电压/电流精度测量（分辨率0.1μV）

2.ThermotronSTH-600温湿度试验箱：提供-70℃~180℃温度循环（转换速率15℃/min）

3.AdvantestT5830存储芯片测试系统：支持UFS3.1/eMMC5.1协议验证（速率最高11.6Gbps）

4.Chroma33622A功率分析仪：测量待机/工作功耗（精度0.02%）

5.ESPECEHS-411MHA高加速寿命试验机：执行85℃/85%RH双85老化试验

6.TektronixDPO73304S示波器：分析接口信号完整性（带宽33GHz）

7.X-PACTF300辐射测试系统：测试抗单粒子翻转(SEU)能力（LET值0.1~120MeVcm/mg）

8.FormFactorCM300xi探针台：进行晶圆级参数测试（定位精度0.5μm）

9.HANWAHWE8000高温反偏试验装置：验证125℃下漏电流特性（电压范围0~1000V）

10.MPICTS3000芯片封装应力测试仪：测量热机械应力（分辨率0.01N）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.