干氧氧化检测

检测项目

1.氧化膜厚度测量：测量范围10-500nm，精度1.5%

2.膜层均匀性分析：表面粗糙度Ra≤0.8μm

3.元素扩散深度检测：分辨率达0.5μm

4.表面缺陷密度统计：最小识别尺寸0.1μm

5.电学性能测试：击穿场强≥8MV/cm

检测范围

1.半导体材料：单晶硅片、砷化镓晶圆

2.金属基材：不锈钢316L、钛合金TC4

3.陶瓷材料：氧化铝基板、氮化硅涂层

4.高分子材料：聚酰亚胺薄膜、聚醚醚酮部件

5.复合材料：碳纤维增强碳化硅基体

检测方法

ASTMF1210-18氧化膜厚度椭偏测量法

ISO14647:2015微电子器件表面氧化层表征

GB/T1551-2009硅单晶氧化层厚度测定方法

GB/T16525-2017半导体晶片表面缺陷检验规范

IEC60749-20:2020半导体器件湿热氧化试验

检测设备

1.ThermoScientificellipsometerM-2000XI：非接触式膜厚测量系统

2.HitachiSU8200冷场发射扫描电镜：表面形貌观测系统

3.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：晶体结构分析系统

4.KeysightB1505A功率器件分析仪：击穿电压测试系统

5.OxfordInstrumentsAZtecEnergyEDS：元素成分分析系统

6.KLATencorP-7表面轮廓仪：三维形貌重构系统

7.Agilent4294A阻抗分析仪：介电性能测试系统

8.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：分子结构鉴定系统

9.LeicaDM8000M金相显微镜：微观组织观察系统

10.NetzschSTA449F3同步热分析仪：高温氧化动力学测试系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.