混合位错检测

检测项目

1.位错密度测定：测量范围110⁶-110cm⁻，精度5%

2.位错分布均匀性：采用面积占比法测试，分辨率≤0.5μm

3.位错类型鉴别：区分刃型/螺型/混合型位错，误差率＜3%

4.位错运动轨迹追踪：时间分辨率10ns-10s可调

5.应力场关联分析：建立局部应力梯度与位错密度映射关系（量程0.1-5GPa）

检测范围

1.金属结构材料：包括铝合金（AA6061/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel718）

2.半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)晶圆

3.陶瓷基复合材料：氧化铝(Al₂O₃)/碳化硅(SiC)增强体系

4.薄膜涂层材料：物理气相沉积(PVD)硬质涂层（TiN/TiAlN）

5.高分子结晶材料：高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯(PP)球晶结构

检测方法

1.ASTME112-13：金相法测定晶粒度与位错蚀坑密度

2.ISO24173:2009：透射电镜会聚束电子衍射(CBED)技术

3.GB/T24177-2022：X射线衍射峰宽化分析法

4.ISO22266-1:2020：同步辐射三维断层成像技术

5.GB/T38823-2020：电子背散射衍射(EBSD)晶格畸变分析

检测设备

1.FEINovaNanoSEM450场发射扫描电镜：配备EDAXOctaneElite能谱仪，实现5nm分辨率位错成像

2.JEOLJEM-ARM300F球差校正透射电镜：空间分辨率0.08nm，支持原位拉伸台动态观测

3.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：配置VANTEC-500二维探测器，可测85倾转样品

4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：角分辨率0.5，最大采集速率4000点/秒

5.ZeissAxioImager.M2m金相显微镜：搭配ClemexPE4.0图像分析软件，支持ASTME112标准实施

6.TESCANS8000G聚焦离子束系统：30kVGa离子束实现TEM样品精准制备

7.HysitronTIPremier纳米压痕仪：最大载荷10N，同步采集载荷-位移曲线与SEM影像

8.MalvernPanalyticalEmpyreanX射线平台：配置高温附件（最高1600℃）进行原位研究

9.ShimadzuHMV-G21显微硬度计：载荷范围10gf-2kgf，自动测量压痕对角线长度

10.GatanOneViewCMOS相机：4k4k像素分辨率，支持30fps动态位错录像

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.