点缺陷扩散检测

检测项目

1. 扩散系数测定：温度范围300-1500K，精度±0.05 cm²/s

2. 激活能计算：基于Arrhenius方程拟合误差≤5%

3. 空位浓度梯度分析：空间分辨率达0.1nm

4. 间隙原子迁移率测量：压力范围10⁻³-10³Pa

5. 缺陷复合速率监测：时间分辨率10⁻¹²s

检测范围

1. 半导体材料：硅晶圆、GaN外延片

2. 金属合金：钛合金TC4、镍基高温合金Inconel 718

3. 陶瓷材料：氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)

4. 高分子材料：聚酰亚胺薄膜、PEEK工程塑料

5. 薄膜涂层：类金刚石(DLC)涂层、氮化钛(TiN)镀层

检测方法

1. ASTM E112-13：晶粒尺寸测定法

2. ISO 20137:2017：表面化学分析-深度剖面法

3. GB/T 13301-2019：金属材料扩散系数测试规范

4. ASTM F76-08(2020)：半导体晶格缺陷表征标准

5. GB/T 38714-2020：高温合金微观缺陷检测方法

检测设备

1. 场发射扫描电镜(FE-SEM)：JEOL JSM-7900F，分辨率0.8nm

2. 二次离子质谱仪(SIMS)：CAMECA IMS 7f-Auto，检出限1ppb

3. 透射电子显微镜(TEM)：FEI Titan G2 80-300kV，点分辨率0.19nm

4. X射线光电子能谱仪(XPS)：Thermo Scientific K-Alpha+，能量分辨率0.5eV

5. 原子探针层析仪(APT)：CAMECA LEAP 5000XR，质量分辨率m/Δm≥2000

6. 激光共聚焦拉曼光谱仪：Horiba LabRAM HR Evolution，空间分辨率250nm

7. 高温原位XRD系统：Bruker D8 ADVANCE Da Vinci，温度上限1600℃

8. 正电子湮没谱仪(PAS)：Fastlab PAS-3000，时间分辨率230ps

9. 热脱附谱仪(TDS)：ESCO EMD-WA1000S，升温速率0.1-50K/s

10. 同步辐射X射线成像系统：上海光源BL13W1线站，空间分辨率50nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.