发射极耦合对检测

检测项目

1.传输延迟时间：测量输入信号到输出响应的传播延迟（典型值50-200ps）
2.功耗电流：静态工作电流（0.5-5mA范围）与动态切换电流的量化分析
3.噪声容限电压：差分输入噪声抑制能力（≥200mV@1GHz）
4.共模抑制比（CMRR）：直流至10GHz频段内≥60dB的指标验证
5.热稳定性系数：温度循环（-55℃~125℃）下的β值漂移率（≤0.5%/℃）

检测范围

1.硅基双极型集成电路（如MC10EL系列逻辑器件）
2.砷化镓微波单片集成电路（GaAsMMIC）
3.高速数据通信模块的差分对管组件
4.雷达系统用微波功率晶体管对管
5.光通信系统驱动级配对晶体管

检测方法

1.ASTMF1241-22高频晶体管动态特性测试规范
2.IEC60747-8:2010半导体分立器件测试通则
3.GB/T17573-202X半导体器件分立器件和集成电路第6部分
4.JEDECJESD77F高速逻辑器件特性表征方法
5.MIL-STD-883HMethod3015热冲击试验程序

检测设备

1.KeysightInfiniiumUXR1104A示波器（110GHz带宽）
2.Rohde&SchwarzZVA67矢量网络分析仪（67GHz）
3.TektronixAWG70002A任意波形发生器（50GS/s）
4.KeysightB1500A半导体参数分析仪（1fA分辨率）
5.ThermonicsT-2600C温度循环试验箱（-70℃~200℃）
6.AgilentN6705B直流电源分析模块（100V/3A）
7.CascadeSummit12000探针台（110GHzRF探头）
8.Fluke8588A参考级万用表（8.5位分辨率）
9.AnritsuMP1900A误码率测试仪（32Gbps速率）
10.ESPECECT-5电磁兼容测试舱（30MHz-6GHz）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.