晶体探测器检测

检测项目

1.能量分辨率：测量FWHM（半高全宽）值，典型参数≤3%@662keV
2.线性响应范围：测试20keV-3MeV能区非线性偏差＜1.5%
3.温度稳定性：-30℃至+50℃温漂系数≤0.05%/℃
4.衰减时间：采用单光子计时法测定＜40ns
5.光产额：标定每MeV能量对应的光子数＞38,000photons/MeV
6.均匀性偏差：扫描表面响应差异＜5%

检测范围

1.无机闪烁晶体：NaI(Tl)、CsI(Tl)、BGO、LYSO等单晶材料
2.半导体晶体：HPGe（高纯锗）、CdZnTe（碲锌镉）探测器
3.有机闪烁体：塑料闪烁体PVT、液体闪烁体EJ-309
4.热释光材料：LiF(Mg,Ti)、CaSO4:Dy晶体片
5.X射线探测晶体：CZT（碲锌镉）平板探测器

检测方法

1.ASTME181-21《辐射探测器测试规程》规范线性度测试
2.ISO18589-4:2019《环境辐射测量》规定能量刻度方法
3.GB/T13301-2021《闪烁体性能测试方法》定义光产额测定流程
4.IEC62220-1:2021《医用X射线成像探测器》适用均匀性测试
5.GB/T10257-2021《核仪器环境试验基本要求》指导温度循环测试

检测设备

1.ORTECGEM60P4-83高纯锗探测器：能量分辨率0.15%@1.33MeV
2.CAENDT5730数字化能谱仪：16bitADC采样率500MS/s
3.HAMAMATSUR6231-100光电倍增管：量子效率＞30%@420nm
4.FLUKE724精密温控箱：控温精度0.1℃
5.AGILENT33500B信号发生器：输出上升时间＜8ns
6.CANBERRA2100多道分析器：8192道脉冲高度分析
7.OXFORDINSTRUMENTSLN2低温恒温器：工作温度77-300K可调
8.XGLABX123SDD硅漂移探测器：分辨率123eV@5.9keV
9.PHOTONISPlanaconXP85002微通道板探测器：时间分辨率25ps
10.BRUKERD8ADVANCEX射线衍射仪：Cu靶Kα辐射源

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.