电子发射检测

检测项目

1.功函数测量：采用开尔文探针法（精度0.02eV），测试范围2.5-6.0eV
2.发射电流密度分析：场致发射模式下测量0.1nA/cm~10mA/cm
3.逸出深度测定：通过角分辨XPS分析（深度分辨率≤1nm）
4.能谱分布测试：能量分辨率≤0.5eV（50-1500eV范围）
5.稳定性测试：连续工作1000小时电流波动率≤5%

检测范围

1.热阴极材料：钨钍阴极、六硼化镧单晶等
2.场发射阵列：碳纳米管薄膜、石墨烯复合涂层
3.半导体材料：掺杂硅基片、GaN/AlGaN异质结
4.真空电子器件：行波管阴极组件、X射线管靶材
5.光电材料：银氧铯光电阴极、负电子亲和势砷化镓

检测方法

1.ASTMF1711-08(2020)：热电子发射特性标准测试规程
2.ISO21227-3:2017：场发射电流-电压特性分析规范
3.GB/T15874-2013：光电发射量子效率测量方法
4.IEC60384-17:2005：真空介质表面二次电子产额测试
5.JISC7025:2019：半导体器件表面势垒高度测定

检测设备

1.ThermoScientificApreo2SEM：配备CL探测器（阴极发光分析）
2.KeysightB1500A半导体分析仪：支持10fA~1A电流测量
3.SPECSPHOIBOS150XPS：单色化AlKα光源（1486.6eV）
4.RBD3077型场发射测试系统：真空度≤510⁻⁷Pa
5.LakeShoreCRX-VF低温探针台：温控范围4K~500K
6.HORIBALabRAMHREvolution：激光拉曼光谱（532nm/785nm）
7.Agilent4156C精密参数分析仪：电压分辨率10μV
8.OmicronMultiprobeUHV系统：集成STM/AFM联用功能
9.Keithley2636B双通道源表：脉冲模式上升时间<500ns
10.BrukerDimensionIconAFM：导电探针电阻<100Ω

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.