检测项目
正向压降（VF）：测试电流1mA至1A范围内压降值（典型0.5V-1.2V）
反向击穿电压（VRRM）：施加反向电压至漏电流达1mA时的临界值（≥50V）
反向恢复时间（trr）：采用脉冲法测量关断延迟时间（≤50ns）
结电容（Cj）：频率1MHz下测量PN结电容值（0.5pF-10pF）
热阻（RθJA）：功率循环法测试结到环境热阻（≤100℃/W）
检测范围
硅基快速恢复二极管（FRD系列）
锗材料点接触型开关二极管（1N60系列）
肖特基势垒二极管（BAT54系列）
SMD封装微型二极管（SOD-123/SOD-323）
高压快恢复模块（≥1200V/50A级）
检测方法
正向特性测试：GB/T6571-2016《半导体器件分立器件第5部分》条款7.2
反向耐压测试：IEC60747-5:2007Ed2.0中第6.4节规定
动态参数测量：ASTMF1248-16脉冲发生器配合示波器法
热阻测试：JEDECJESD51-14瞬态热特性标准方法
失效分析：ISO14647:2000半导体器件破坏性物理分析流程
检测设备
KeysightB1505A功率器件分析仪：支持200A/3kV高压大电流测试
TektronixDMM4040六位半数字万用表：0.002%直流参数测量精度
Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz频段结电容测量
Chroma19032脉冲发生器：10ns上升沿时间trr测试模块
SUSSPM8探针台：晶圆级参数自动化测试平台
FLIRA655sc红外热像仪：非接触式结温分布监测系统
<p)ESPECPL-3KFP恒温箱：-65℃~+200℃温度循环试验设备</p)<p)HiokiIM3590化学阻抗仪：电解液腐蚀环境模拟测试装置</p)
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自改制以来和政、企、军多方多次合作，并获得众多好评；
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领；
3、坚持科学发展道路，统筹实验建设与技术人才培养共同发展；
4、学习贯彻人大精神，努力发展自身科技实力。
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荣誉资质
研究院地址
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