氧化铊检测

检测项目

1.氧化铊纯度分析（Tl₂O≥99.9%）
2.杂质元素含量检测（Pb≤0.001%、Fe≤0.005%）
3.粒度分布测试（D50:1-5μm）
4.晶体结构表征（XRD衍射角误差≤0.02）
5.热稳定性测试（TG-DSC升温速率10℃/min）

检测范围

1.工业级高纯氧化铊粉末
2.半导体掺杂用氧化铊靶材
3.含铊废水处理系统残留物
4.光电玻璃生产原料
5.核屏蔽材料复合组分

检测方法

1.ICP-MS法（GB/T23942-2009）
2.X射线衍射分析法（ISO20203:2015）
3.激光粒度分析法（ASTMB822-20）
4.原子吸收光谱法（GB/T17139-1997）
5.热重-差示扫描量热联用法（ISO11358:2022）

检测设备

1.ThermoScientificiCAPRQICP-MS（痕量元素定量）
2.BrukerD8ADVANCEXRD（晶体结构解析）
3.MalvernMastersizer3000（粒度分布测定）
4.PerkinElmerPinAAcle900TAAS（重金属含量分析）
5.NETZSCHSTA449F5Jupiter（同步热分析）
6.Agilent8900ICP-MS/MS（同位素比值测定）
7.ShimadzuEDX-7000（元素面分布成像）
8.HORIBALabRAMHREvolution（拉曼光谱表征）
9.MettlerToledoTGA/DSC3+（热稳定性测试）
10.JEOLJSM-7900FSEM（微观形貌观测）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.