检测项目
1.二次电子产额(SEY)测定:测量范围0.1-5.0@入射能量1-5000eV
2.二次电子能量分布谱:分辨率≤0.5eV@0-50eV区间
3.角度分布特性:极角0-90范围内发射强度分布
4.表面成分分析:元素检出限≤0.1at%
5.热稳定性测试:温度范围-196℃至1200℃
检测范围
1.半导体材料:GaAs、SiC等宽禁带半导体晶圆
2.真空电子器件:行波管收集极、光电倍增管打拿极
3.航天器表面材料:介质充电防护涂层、太阳帆板基材
4.显示器件:场发射显示器(FED)阴极涂层
5.高能物理探测器:微通道板(MCP)电极材料
检测方法
ASTME756-05(2017)振动疲劳测试中的次级效应测试
ISO21207:2015加速腐蚀试验中的二次发射监测
GB/T31309-2014电子材料二次电子发射系数测定规范
IEC60300-3-6:2017可靠性管理中的失效模式分析
GB/T28872-2012表面分析X射线光电子能谱通则
检测设备
1.KEITHLEY4200-SCS二次电子产额测试系统:配备单色电子枪(能量分辨率0.2eV)
2.ThermoScientificESCALABXi+X射线光电子能谱仪:配备单色AlKα光源
3.ZEISSGeminiSEM500场发射扫描电镜:配Inlens二次电子探测器
4.SPECSPHOIBOS150半球形能量分析仪:能量分辨率<10meV
5.RBD9075脉冲离子源系统:Ar+束流密度0.1-10μA/cm
6.LakeShoreCRX-VF低温探针台:温控精度0.1K@4K-475K
7.AgilentB1500A半导体参数分析仪:最小电流分辨率10fA
8.PfeifferHIPACE700涡轮分子泵组:极限真空≤510⁻⁸Pa
9.OmicronISE100原位表面处理系统:集成离子刻蚀与退火模块
10.LabVIEW定制化数据采集系统:同步精度≤1μs
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。