多晶硅检测

检测项目

1.纯度检测：硼（B≤0.3ppb）、磷（P≤0.5ppb）、碳（C≤1.0ppm）、氧（O≤510⁶atoms/cm）
2.电学性能：载流子寿命（≥100μs）、电阻率（0.5-6Ωcm）、少数载流子扩散长度（≥300μm）
3.晶体结构：晶粒尺寸（50-200μm）、位错密度（≤10⁴cm⁻）、晶界分布
4.表面特性：表面粗糙度（Ra≤0.5μm）、金属污染（Fe≤110⁰atoms/cm）
5.热性能：热导率（≥150W/mK）、热膨胀系数（2.610⁻⁶/K）

检测范围

1.太阳能级多晶硅原料（纯度99.9999%）
2.直拉法/区熔法单晶硅棒
3.光伏电池用硅片（厚度160-180μm）
4.半导体用电子级多晶硅（纯度99.9999999%）
5.再生多晶硅废料（金属杂质≤50ppm）

检测方法

1.辉光放电质谱法（GDMS）：依据ASTMF1707测定B/P/As等痕量杂质
2.低温傅里叶红外光谱法（LT-FTIR）：按GB/T24581-2023测定间隙氧含量
3.四探针电阻率测试：执行GB/T1551-2021单晶硅电阻率标准
4.微波光电导衰减法（μ-PCD）：参照SEMIMF1535测量载流子寿命
5.X射线衍射法（XRD）：采用ISO14707进行晶体取向分析

检测设备

1.辉光放电质谱仪GDMSProfileHR：ppb级杂质元素定量分析
2.傅里叶红外光谱仪NicoletiS50：氧碳含量精确测定
3.四探针电阻测试仪RTS-9：0.001-300Ωcm宽量程测量
4.少子寿命测试仪WT-2000：μs级载流子寿命动态检测
5.X射线衍射仪D8ADVANCE：晶体结构全谱分析
6.原子力显微镜DimensionIcon：纳米级表面形貌表征
7.热导率测试仪LFA467HyperFlash：激光闪射法热性能分析
8.扫描电镜SU5000：微区成分EDS能谱联用
9.电感耦合等离子体质谱仪NexION2000：金属污染物超痕量检测
10.紫外可见分光光度计Cary5000：光学吸收系数测定

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.