横向寄生晶体管检测

检测项目

1.阈值电压（Vth）漂移：测试范围0.5V@25℃，精度1mV
2.漏极-源极漏电流（Idss）：测量范围1pA-1mA@Vds=10V
3.栅极氧化物击穿电压（BVox）：测试电压0-100V@步进0.1V
4.跨导（gm）线性度：频率1MHz时偏差≤5%
5.热载流子注入效应：应力条件Vds=1.2Vdd@125℃持续72h

检测范围

1.硅基CMOS集成电路中的寄生双极晶体管
2.GaNHEMT器件的横向导电通道
3.SiC功率MOSFET的寄生晶闸管结构
4.SOI工艺中的浮体效应引发寄生导通
5.三维堆叠芯片的层间寄生耦合效应

检测方法

1.ASTMF1248-16：半导体器件热载流子退化测试规程
2.IEC60749-34:2020：功率器件动态参数测试方法
3.GB/T17573-2021：半导体分立器件电参数测试通则
4.JESD28-C：深亚微米工艺可靠性测试标准
5.ISO16750-4:2018：汽车电子环境应力试验要求

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持100fA级漏电流测量
2.TektronixDPO70000SX示波器：70GHz带宽捕获瞬态响应
3.ThermoFisherScientificHeliosG4UX显微分析系统：纳米级结构表征
4.AdvantestEVA100环境可靠性试验箱：温度循环范围-65℃~+300℃
5.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面电势成像分辨率0.1mV
6.Agilent4294A精密阻抗分析仪：40Hz-110MHz频段介电特性测试
7.CascadeSummit12000探针台：支持300mm晶圆级测试
8.HamamatsuPHEMOS-X光发射显微镜：定位微米级漏电点
9.OxfordInstrumentsPlasmaPro100刻蚀系统：剖面制备精度5nm
10.Keithley2636B双通道源表：100W脉冲功率输出能力

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.