栅极控制装置检测

检测项目

1.绝缘电阻测试：测量栅极-源极间绝缘阻值（≥100MΩ@DC500V）
2.阈值电压验证：标定导通临界电压（V_GS(th)范围0.5V）
3.动态导通电阻：测试额定电流下R_DS(on)变化率（≤10%）
4.开关时间特性：包括开启延迟时间（t_d(on)≤50ns）与关断延迟时间（t_d(off)≤80ns）
5.热阻参数测定：结-壳热阻R_thJC（≤1.2K/W@稳态工况）

检测范围

1.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）栅极结构
2.绝缘栅双极晶体管（IGBT）驱动单元
3.碳化硅（SiC）MOSFET栅极氧化层
4.氮化镓（GaN）HEMT栅极电极
5.高压晶闸管门极触发模块

检测方法

1.ASTMF1523-2018半导体器件静态参数测试规程
2.ISO16750-4:2010道路车辆电气负荷试验标准
3.GB/T17573-2021半导体器件分立器件测试方法
4.IEC60747-8:2010绝缘栅双极晶体管测试规范
5.JEDECJESD24-10功率器件动态特性测量指南

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000A/10kV级脉冲测试
2.TektronixDPO7054C数字示波器（5GHz带宽）：高速开关波形采集
3.Chroma19032功率循环测试系统：温度冲击试验（-55℃~175℃）
4.HiokiIM3590化学阻抗分析仪：10μHz~200kHz频段介电特性测量
5.FlukeTi480红外热像仪：微米级热分布成像（精度1℃）
6.AgilentE4980ALCR表：0.01pF~100mF电容精度测量
7.ThermoScientificCL24导热系数测定仪：材料级热特性分析
8.ESPECPL-3KPH恒温恒湿箱：85℃/85%RH老化试验

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.