场氧化层检测

检测项目

1.氧化层厚度测量：椭偏仪测试5-200nm范围膜厚，精度0.5nm
2.折射率与消光系数分析：波长范围190-1700nm，分辨率0.001
3.击穿电场强度测试：直流电压扫描至20MV/cm
4.界面态密度测定：准静态C-V法测量110⁰-110cm⁻eV⁻
5.表面粗糙度表征：原子力显微镜扫描5050μm区域，Ra≤0.3nm

检测范围

1.硅基半导体热氧化SiO₂层
2.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Al₂O₃钝化层
3.功率器件SiC栅氧介质层
4.MEMS器件氮化硅保护层
5.柔性电子PI基板氧化铟锡薄膜

检测方法

1.ASTMF576-21《界面态密度测试规程》
2.ISO14707:2020《辉光放电光谱法成分分析》
3.GB/T16595-2017《晶圆表面氧化层厚度测试方法》
4.JESD35-A《TDDB可靠性测试标准》
5.SEMIMF723-1109《椭偏仪校准规范》

检测设备

1.ThermoScientificEllipsometerEP3：全自动膜厚测量系统
2.KeysightB1505A功率器件分析仪：击穿电压测试至10kV
3.HitachiAFM5100N：原子级表面形貌分析
4.BrukerD8ADVANCEXRD：晶体结构表征（0.0001精度）
5.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：深度剖面XPS分析
6.Agilent4294A阻抗分析仪：高频介电性能测试（40Hz-110MHz）
7.JEOLJEM-ARM300F：原子分辨率透射电镜观测
8.KLATencorSurfscanSP7：缺陷密度检测（≥45nm颗粒）
9.HoribaGD-Profiler2：辉光放电光谱成分分析
10.CascadeSummit12000探针台：纳米级电学特性测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.