右霍尔检测

检测项目

1.载流子浓度：测量范围110⁴~110⁰cm⁻，误差≤5%
2.迁移率：覆盖0.1~10⁶cm/(Vs)，分辨率达0.01cm/(Vs)
3.电阻率：量程110⁻⁶~110⁶Ωcm，四探针法校准
4.霍尔系数：精度2%，温度范围-196℃~300℃
5.温度特性曲线：步进温控0.1℃，采集间隔1℃

检测范围

1.半导体材料：硅基（Si/SiGe）、III-V族化合物（GaAs/InP）、二维材料（石墨烯/MoS₂）
2.磁性薄膜：铁磁/反铁磁多层膜（CoFeB/NiFe）、拓扑绝缘体（Bi₂Se₃）
3.电子元器件：霍尔传感器芯片、磁阻存储器单元
4.纳米结构材料：量子点阵列、纳米线异质结
5.超导材料：YBCO薄膜、MgB₂线材

检测方法

1.ASTMF76-08(2016)：标准霍尔效应测试规程
2.ISO14707:2020：薄膜材料载流子浓度测定法
3.GB/T13388-2017：半导体晶体电学参数测量通则
4.GB/T1551-2009：硅单晶电阻率测定方法
5.IEC60749-28:2017：半导体器件温度特性试验

检测设备

1.LakeShore8400系列霍尔测量系统：支持0.05T~2T磁场强度，集成低温恒温器
2.KeysightB1500A半导体分析仪：μΩ级电阻测量模块
3.QuantumDesignPPMSDynaCool：综合物性测量平台（1.9K~400K）
4.NanometricsHL5500PC：全自动霍尔效应测绘系统（4点探针台）
5.Agilent4156C精密参数分析仪：皮安级电流分辨率
6.OxfordInstrumentsTeslatronPT：超导磁体系统（最高14T）
7.JandelRM3000测试台：四探针电阻率/霍尔电压同步测量
8.Keithley2450源表：脉冲模式载流子注入控制
9.CryomagneticsSRDK-101D氦循环制冷机：无液氦低温环境生成
10.SemilabHCS-1高温霍尔系统：800℃原位退火测试能力

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.