浅结工艺检测

检测项目

1.结深测量：采用椭圆偏振仪测定10-200nm范围内的PN结深度分布

2.掺杂浓度分析：二次离子质谱(SIMS)检测1E15-1E21atoms/cm浓度梯度

3.表面形貌表征：原子力显微镜(AFM)扫描表面粗糙度≤0.3nmRMS

4.界面缺陷密度：深能级瞬态谱(DLTS)测量缺陷密度≤1E10cm⁻eV⁻

5.电学性能测试：四探针法测量薄层电阻0.1-1000Ω/□

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)等单晶/多晶基片

2.光伏器件：PERC电池发射极、TOPCon电池隧穿氧化层

3.集成电路：CMOS源漏延伸区、栅极浅结结构

4.MEMS传感器：压敏电阻掺杂区域

5.光电子器件：激光二极管有源区掺杂层

检测方法

1.ASTMF1392：椭圆偏振法测量超浅结深度标准

2.ISO14707：SIMS深度剖面分析通用规程

3.GB/T1551：硅单晶电阻率测定四探针法

4.GB/T32281：纳米级薄膜厚度测量方法

5.ASTME112：金相法测定晶粒尺寸标准

检测设备

1.KLATencorUV1280SE：全自动椭圆偏振仪，分辨率0.1nm

2.CAMECAIMS7f-Auto：磁式二次离子质谱仪，检出限1E12atoms/cm

3.BrukerDimensionIcon：扫描探针显微镜，Z轴分辨率0.02nm

4.KeysightB1500A：半导体参数分析仪，最小电流分辨率0.1fA

5.HitachiSU5000：场发射扫描电镜，分辨率1.0nm@15kV

6.FourDimensionsRS35：四探针电阻测试仪，量程0.1mΩ-100MΩ

7.ThermoFisherNicoletiN10：显微红外光谱仪，空间分辨率10μm

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：反应离子刻蚀系统

9.SemilabPV-2000：少子寿命测试仪，灵敏度0.1μs

10.Keithley4200-SCS：脉冲式C-V/L-V特性分析系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.