耗尽型逻辑检测

检测项目

1.阈值电压漂移（VthShift）：测量范围5V，精度0.1mV
2.导通电阻稳定性（Rds(on)）：测试电流10A-100A，温度范围-55℃~175℃
3.开关时间衰减（tSWDegradation）：上升/下降时间分辨率0.1ns
4.栅极漏电流（Igss）：量程1pA-10μA，电压偏置20V
5.热阻特性（RθJC）：功率加载0-500W，结温测量误差0.5℃

检测范围

1.碳化硅（SiC）功率MOSFET
2.氮化镓（GaN）HEMT射频器件
3.高压IGBT模块
4.智能功率集成电路（SmartPowerIC）
5.光耦隔离驱动芯片

检测方法

1.ASTMF1246-21《半导体器件漏电流测试规程》
2.IEC60747-9:2019《分立器件动态参数测试》
3.GB/T17573-2021《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
4.JEDECJESD22-A108F《温度循环试验标准》
5.ISO16750-4:2023《道路车辆电气负荷试验标准》

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试
2.TektronixDPO73304SX示波器：30GHz带宽波形捕获
3.ThermoScientificThermoStreamATS-525MX：-80℃~+300℃温控系统
4.Chroma19032-E耐压测试仪：10kVAC/DC绝缘强度测试
5.Keithley4200A-SCS参数分析仪：飞安级电流测量能力
6.ESPECPL-3KPH气候箱：交变湿热试验（40℃/95%RH）
7.HIOKIPW3390功率分析仪：0.05%基波精度谐波分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.