多谷半导体检测

检测项目

1.载流子迁移率测试：测量范围110~110⁶cm/(Vs)，精度3%
2.缺陷密度分析：分辨率≥0.1μm级晶格缺陷
3.界面态密度测定：能量分辨率≤10meV
4.击穿电压测试：电压范围0-10kV，步进精度0.5%
5.热阻系数测量：温度梯度控制0.1℃/cm

检测范围

1.硅基半导体材料（单晶硅/多晶硅/非晶硅）
2.III-V族化合物半导体（GaAs/InP/GaN）
3.二维半导体材料（MoS₂/WSe₂/黑磷）
4.功率器件封装模块（IGBT/MOSFET）
5.MEMS传感器芯片（压力/加速度/陀螺仪）

检测方法

1.ASTMF1529-22：霍尔效应测试规范
2.ISO14646:2020：半导体表面污染度测定
3.GB/T16597-2019：化学气相沉积膜厚度测量
4.JESD22-A108F：温度循环可靠性试验
5.IEC60749-27:2020：功率器件动态参数测试

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持DC-110GHz信号扫描
2.ThermoScientificApreo2扫描电镜：分辨率0.6nm@15kV
3.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：Z轴分辨率0.05nm
4.Agilent4294A阻抗分析仪：频率范围40Hz-110MHz
5.TektronixDPO70000SX示波器：带宽70GHz
6.CascadeSummit12000探针台：支持300mm晶圆测试
7.ESPECT3系列恒温恒湿箱：温度范围-70℃~180℃
8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE刻蚀机：等离子密度≥110/cm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.