俄歇跃迁检测

检测项目

1.元素组成分析：能量分辨率≤0.3eV@1000eV，探测限达0.1at%
2.化学态表征：结合能测量精度0.1eV
3.深度剖析：Ar+溅射速率0.1-10nm/min可调
4.横向分辨率：电子束直径≤50nm
5.定量分析：采用相对灵敏度因子(RSF)法进行半定量计算

检测范围

1.半导体材料：硅基芯片界面污染分析
2.金属合金：钢铁表面氧化层厚度测量
3.纳米涂层：ALD/CVD薄膜成分梯度表征
4.陶瓷材料：氮化铝基板表面碳污染检测
5.生物材料：钛合金植入物表面钝化膜分析

检测方法

1.ASTME827-20《俄歇电子能谱仪校准标准》
2.ISO18118:2022《表面化学分析-俄歇电子能谱定量方法》
3.GB/T19500-2004《X射线光电子能谱分析方法通则》
4.ASTME1523-15《深度剖析溅射速率测定方法》
5.ISO20903:2019《表面化学分析-俄歇电子能谱重复性和一致性要求》

检测设备

1.PHI700Xi扫描俄歇微探针：配备同轴CCD相机实现50nm空间分辨率
2.ThermoScientificESCALABXi+：集成MCP阵列探测器实现快速成像
3.JEOLJAMP-9500F：配备FEG电子枪实现10nA束流稳定性
4.ULVAC-PHISAM660：配置四通道CMA能量分析器
5.KratosAXISSupra：集成磁浸没透镜系统提升灵敏度
6.SPECSFlexAES：模块化设计支持多模式联用
7.OmicronNanoSAM：超高真空系统（≤510^-10mbar）
8.RBDInstrumentsAugerProbe：配备多轴样品操纵台
9.ScientaOmicronDA30-L：双阳极X射线源配置
10.STAIBInstrumentsDESA100：差分抽气式电子能量分析器

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.