芯片尺寸检测

检测项目

1.线宽/线距测量：典型参数10nm至100μm，精度0.5nm（临界尺寸CD测量）
2.芯片厚度：测量范围50μm至800μm，公差1.5μm
3.平面度/翘曲度：最大允许偏差≤3μm/25mm
4.焊球直径：BGA封装焊球直径50-300μm，CPK≥1.33
5.通孔直径：TSV三维封装孔径5-50μm，深宽比10:1至20:1

检测范围

1.硅基逻辑/存储芯片（FinFET、3DNAND结构）
2.化合物半导体芯片（GaN/SiC功率器件）
3.MEMS传感器（加速度计、陀螺仪微结构）
4.先进封装芯片（Fan-outWLP、Chiplet异构集成）
5.光电子芯片（VCSEL阵列、硅光耦合器件）

检测方法

1.ASTMF534-08硅片翘曲度测试规范
2.ISO14672-1:2020微电子器件表面形貌测量规程
3.SEMIMF1530-0709线宽测量扫描电镜法
4.GB/T16594-2008微米级长度的扫描电镜测量方法
5.GB/T39143-2020集成电路芯片几何量测量通用技术要求

检测设备

1.KLA-TencorP17+表面轮廓仪：三维形貌测量（分辨率0.1nm）
2.HitachiRegulus8230冷场发射SEM：CD-SEM关键尺寸测量
3.BrukerContourGT-X8白光干涉仪：平面度/粗糙度分析
4.NikonMM-800N三坐标测量机：宏观尺寸测量（精度0.5μm）
5.ZeissAxioCSM700共聚焦显微镜：三维微结构重建
6.KeyenceVHX-7000数字显微镜：大景深快速测量（放大倍率6000x）
7.OlympusOLS5100激光显微系统：非接触式厚度测量
8.ParkSystemsNX20原子力显微镜：亚纳米级表面表征
9.CyberOpticsSQ3000自动光学检测系统：封装焊球全检
10.ThermoFisherHeliosG4PFIB双束电镜：三维结构断层扫描

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.