反峰检测

检测项目

1.反向峰值电压（V_RRM）：测量器件在反向偏置下可承受的最大瞬时电压值（0-5000V）
2.反向漏电流（I_R）：在额定反向电压下的泄漏电流测试（1nA-10mA量程）
3.温度特性曲线：记录-55℃至+175℃温区内反向特性的变化规律
4.动态dv/dt耐受能力：测试100V/μs至5000V/μs斜率下的响应特性
5.重复脉冲耐受性：施加1000次以上10μs脉宽的反向冲击测试

检测范围

1.功率二极管：包括快恢复二极管、肖特基二极管等
2.IGBT模块：1200V-6500V等级绝缘栅双极晶体管
3.晶闸管类器件：双向可控硅、门极可关断晶闸管
4.电源模块：AC/DC转换器、逆变器功率单元
5.保护器件：TVS二极管、压敏电阻等瞬态抑制元件

检测方法

ASTMF1248-16：半导体器件反向特性测试标准规程
IEC60747-9：分立半导体器件测试通用规范
GB/T4023-2015：半导体器件反向阻断三极晶闸管测试方法
JESD22-A115F：电子器件可靠性验证试验标准
ISO16750-2：道路车辆电气电子设备环境条件标准

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1000A高压大电流测试
2.Chroma19032高压测试系统：具备10kV绝缘耐压测试能力
3.TektronixPA3000功率分析仪：高精度功率参数测量（0.05%精度）
4.ESPECPCT-322热冲击试验箱：实现-70℃至+200℃快速温变测试
5.HIOKIPW8001高精度功率计：μA级漏电流测量分辨率
6.Agilent4156C精密半导体参数分析仪：纳安级微弱电流检测
7.Fluke5320A高压校准器：3000V直流电压基准输出
8.NFCorporationWF1948B多通道脉冲发生器：100ns级高速脉冲生成
9.ThermoScientificCMD500耐压测试仪：5000VAC绝缘耐压试验
10.GWInstekLCR-8105G高频LCR表：1MHz频率下电容特性分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.